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 单晶炉是一种在惰性气体（氮气、氦气为主）环境中,用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化,用直拉法生长无错位单晶的设备。

    单晶炉的型号与命名：

    单晶炉型号有两种命名方式，一种为投料量，一种为炉室直径。比如85炉，是指主炉筒的直径大小，120、150等型号是由装料量来决定的

    技术要求：

 1.单晶炉装料量（单台机产能多少） 2. 能拉多长、几寸的硅棒 3. 拉制晶棒的成品率是多少4拉出硅棒品质（少子寿命、电阻率、碳氧含量、位错密度） 5设备制造工艺控制保证 6自动化控制程度 7设备主要关键部件的配置等 。

1、稳定的机架结构设计，增强了设备在晶体生长过程中的抗振动能力。

2、优化的液压提升机构确保副炉室提升和复位时的运动平稳性。

3、与主机分离的分水器设计，在减少冷却水振动对晶体生长的影响的同时优化了水路布局。

4、晶体和坩埚的提升采用双电机结构，保证稳定的低生长速度以及坩埚和籽晶的**定位。

5、采用无振动的高性能马达和低噪声的减速器驱动晶体和坩埚上升，可提供稳定的低生长速度。

6、设备的真空条件和在真空下的可控惰性气体气流使得热区清洗佳化。氧化硅可以在不污染晶体和晶体驱动装置的条件下排除。

7、带隔离阀的副室可以在热区保持工作温度的情况下，取出长成的晶体或者更换籽晶。

8、对惰性气体流量和炉室压力高精度的控制能力，为生长高品质单晶创造了条件。

9、炉盖和炉腔通过两个提升装置提升，很方便的转向一边快捷地清洗。

10、熔化温度通过对加热器温度的电控来维持和调节，加热电源采用直流供电提高了控制精度。高品质的加热器温度测量传感器实现了**的温度控制。

12、整个晶体生长过程由一个高可靠的可编程计算机控制器（PCC）控制，包括抽真空、熔化、引晶缩颈、放肩、等经生长和尾锥生长，晶体生长全过程可实现全自动（CCD）控制：。

13、带有数据和报警过程控制的可视化软件，存储在计算机的硬盘中。单晶炉在使用时，炉体处于高温工作状态，并要求各运动部件的运动稳定可靠，精度高（尤其是坩埚驱动装置和籽晶旋转及提升机构），工作时间长。因此，在使用过程中，要注意设备的维护与保养。