主要特性：
1 、输入电压范围 90V AC ~264V AC
2 、输出 5V DC /3.0A 、9V DC /2.0A 、12V DC /1.5A
3 、输出最大纹波 90mV  以内
4 、输出电压步进±200mV
5 、具有输出过流保护、短路保护、过温保护等功能
6 、符合“DOE&COC”6  级能效标准
7 、通过 EN55022 ClassB 的 的 EMI  测试标准
8 、通过 EFT 4KV

一、概述
是一颗电流模式 PWM 控制芯片，内置 650V 高压功率 MOSFET，应用于功率在 18W 以
内的方案。 在 PWM 模式下工作于固定开关频率，这个频率是由内部精确设定。在空载或者
轻载时，工作频率由 IC 内部调整。芯片可以工作在绿色模式，以此来减小轻载时的损耗，提高整机的
工作效率。 在启动和工作时只需要很小的电流，可以在启动电路中使用一个很大的电阻，以
此来进一步减小待机时的功耗。芯片内置有斜坡补偿电路，当电路工作于大占空比时，避免次谐波振
荡的发生，改善系统的稳定性。内置有前沿消隐时（Leading-edge blanking time），消除缓冲网络中的二
极管反向恢复电流对电路的影响。 采用了抖频技术，能够有效改善系统的 EMI 性能。系统
的跳频频率设置在音频(22KHz)以上，在工作时可以避免系统产生噪音。 内置多种保护，包
括逐周期限流保护（OCP），过载保护（OLP），过压保护（VDD OVP），VDD 过压箝位，欠压保护（UVLO），
过温保护（OTP）等，通过内部的图腾柱驱动结构可以更好的改善系统的 EMI 特性和开关的软启动控
制。

二、特点
全电压范围（90Vac-265Vac）输入时待机功耗小于 100mW
内置 650V 高压功率管
4ms 软启动用来减少 MOSFET 上 Vds 的应力
抖频功能，改善 EMI 性能
跳频模式，改善轻载效率，减小待机功耗
无噪声工作
固定 65KHz 开关频率
内置同步斜坡补偿
 低启动电流，低工作电流
内置前沿消隐(LEB)功能
过载保护（OLP），逐周期限流保护（OCP）
VDD 过压保护（VDD OVP），欠压保护（UVLO），VDD 电压箝位
过温保护（OTP）
SOP8 无铅封装