不同 Id 时的 Vgs（th） 4V @ 250µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 860pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 66nC @ 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On 295 毫欧 @ 6.6A，10V

供应商器件封装 D-Pak

功率 - -大值 110W

安装类型 表面贴装

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63

漏源极电压（Vdss） 150V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13A（Tc）

FET 功能 标准

FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物

星际金华只做原装**，库存充足，长期供应5G模组、新能源模组、物联网模组、WiFi 6 & 蓝牙芯片模组、5G芯片、电子元器件等，可保障质量，实单价优，欢迎广大商友致电咨询！