不同 Id 时的 Vgs（th） 2.04V @ 250µA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss） 1700pF @ 25V

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg） 92nC @ 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On 20 毫欧 @ 5.6A，10V

供应商器件封装 8-SO

功率 - -大值 2.5W

安装类型 表面贴装

封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

漏源极电压（Vdss） 30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 10A（Ta）

FET 功能 逻辑电平门

FET 类型 MOSFET P 通道，金属氧化物

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