率三极管、背光源、LED、集成电路和一些特殊半导体器件生产企业内的晶粒扩张工序。

①采用双气缸上下控制；

②恒温设计，膜片周边扩张均匀适度；

③加热，拉伸，扩晶，固膜一次完成；

④加热温度，扩张时间，回程速度均匀可调；

⑤操作简便，单班产量大；

⑥机器外型见实物。

整机采用高品质零部件，所有加工部件都是用高强度铝合金及不锈钢制造。确保设备的耐久性。 

1，         电源电压：220VAC（50Hz)士10%；

2，         工作气压：4-6Kg/cm²:；

3，         温度范围：室温~350℃；

4，         上气缸行程：150/200mm；

5，         下气缸行程：100mm（可双向调节）；

6，         扩张面积：120/270cm²；

7，         外型尺寸：270x220x820mm(长x宽x高）；

8，         机器重量：20Kg

1，插上电源，气管**接头接上高压气管；2，打开电源开关，将温度设定于75℃（不同晶片膜温差异士5℃）；3，将上气缸开关拨至“上升”位置，上压模回至**上方，将下气缸开关拨至下降位置，下压模回至**下方（反复几次下气缸动作，将上升速度调整至适合速度）4，松开锁扣，掀起上工件板，先将扩晶环内环放于下压模上，再将粘有晶片的翻晶膜放于下工件正中央，晶片朝上，将上工件板盖上，锁紧锁扣。5，将下气缸开关拨至“上升”位置，下压模徐徐上升，薄膜开始向四周扩散，晶粒间隔逐渐拉大，当晶片间隔扩散至原来的2~3倍时既停止上升，将扩晶环外环圆角朝下平放在薄膜与内环正上方。6，将上气缸开关拨至“下降”位置，上压模下降，将扩散后的翻晶膜套紧定位，上压模回至**上方。7，将下气缸开关拨至“下降”位置，下压模下降至**下方，取出扩晶完毕的翻晶膜，修剪多余膜面，送下工序备胶固晶。

1，         用干净布块擦拭附着灰尘，活动部位定期涂少许机油润滑；

2，         放置翻晶膜的位置必须干净，附着的油脂及灰尘会污染晶片，造成不良品产生。

1，         气缸工作时切勿将手接近或放入压合面；

2，         下压模表面切勿用锐器敲击，磨擦，以免形成伤痕；

3，         机器安装时，应正确可靠接地；

4，         机箱内电源危险，箱门应锁紧；

5，         更换加热管或其它电器元件时，需在电源插头拔下时方可进行；

6，         切勿用带水或溶剂的抹布擦拭机器，以免产生漏电或燃烧危险。

七，售后服务：产品保修一年，终身维护。    
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