价格:
12.00/pcs
起订:5pcs
供应:6830pcs
发货:3天内
信息标签:电子元器件SI3586DV,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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规格:
FET 类型:N 和 P 沟道
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):2.9A,2.1A
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(-大值):60 毫欧 @ 3.4A,4.5V
不同 Id 时的 Vgs(th)(-大值):1.1V @ 250µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(-大值):6nC @ 4.5V
功率 - -大值:830mW
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装:6-TSOP
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明佳达优势产品:集成IC、二三极管、传感器、IGBT、散热器 、电源模块、MOS管、单片机等电子元器件。