据国外媒体报道，惠普科学家在开发名为“memristors”（记忆电阻器）的下一代内存技术方面取得了小的突破。

一些人认为，这种技术有可能取代目前广泛应用的闪存和DRAM内存技术。惠普科学家本周一在《纳米技术》杂志上

发表的论文中称，他们已经描绘出记忆电阻器在电子运行期间内部发生的情况的基本化学性质和结构。 
    惠普高级研究员斯坦·威廉斯（StanWilliams）称，以前，虽然可工作的记忆电阻器已经在实验室中制作成功

，但是，科学家还不确切地知道这个微小的结构中在发生什么事情。但是，惠普有信心实现这个技术的商品化，这

个新发现能够让惠普显著改善它的性能。  http://www.szgudz888.com/
    记忆电阻器是加州大学伯克利分校的一位教授在1971年首次阐明的。在此之前，科学家仅知道三个基本电路元

件：电阻器、电容器和电感器。蔡少棠（LeonChua）教授把记忆电阻器称作第四个元件。 
    几十年后，惠普科学家证明记忆电阻器是存在的，并且证明他们能够让记忆电阻器在两个或者更多的电阻级别http://www.gz-mbhb.com/

上来回交换，这就使它们能够代表数字计算中的1和0。威廉斯表示，他个人预计惠普的记忆电阻器技术将在2013年

年中开始商业性提供。不过，威廉斯称，这不是惠普公司的**承诺。
压敏电阻器的结构特性  压敏电阻器与普通电阻器不同,它是根据半导体材料的非线性特性制成的。 
   普通电阻器遵守欧姆定律,而压敏电阻器的电压与电流则呈特殊的非线性关系。当压敏电阻器两端所加电压低于

标称额定电压值时,压敏电阻器的电阻值接近无穷大,内部几乎无电流流过。当压敏电阻器两端电压略高于标称额定

电压时,压敏电阻器将迅速击穿导通,并由高阻状态变为低阻状态,工作电流也急剧增大。当其两端电压低于标称额定

电压时,压敏电阻器又能恢复为高阻状态。当压敏电阻器两端电压超过其**限制电压时,压敏电阻器将完全击穿损坏,

无法再自行恢复 http://www.jarchsilpring.com/