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表面贴装技术所用元器件包括表面贴装元件（Surface Mounted Component,简称SMC）与表面贴装器件（Surface Mounted Device,简称SMD）。
其中，SMC 主要包括：矩形贴片元件、圆柱形贴片元件、复合贴片元件、异形等贴片元件；SMD 主要包括：二极管、晶体管、集成电路等贴片半导体器件。
SMC 与SMD 统称为表面贴装元器件或贴片元器件。
利用表面贴装技术构成的整机性能取决于贴片元器件性能及表面组装结构工艺，故进行电路设计时除需要对贴片元器件提出某些与传统电子元器件相同的电性能技术指标要求外，还需要提出其他更多、更严格的要求。这些要求包括以下内容。
（1）尺寸标准。贴片元器件的尺寸精度应与表面组装技术和表面组装结构的尺寸精度相匹配，以便能够互换。
（2）形状标准。便于定位，适合于自动化组装。
（3）电学性能符合标准化要求，重复性和稳定性好。
（4）机械强度满足组装技术的工艺要求和组装结构的性能要求。
（5）贴片元器件中材料的耐热性能应能够经受住焊接工艺的温度冲击。
（6）表层化学性能能够承受有机溶液的洗涤。
（7）外部结构适合编带包装，型号或参数便于辨认。
（8）外部引出端的位置和材料性质有利于自动化焊接工艺。
通常我们很容易找到三极管的基极b，但另外两个电极哪个是集电极c，哪个是发射极e呢？这时我们可以用测穿透电流ICEO的方法确定集电极c和发射极e。
１、对于PNP型的三极管，用手指捏住b极与假设的c极，管脚间利用我们的手指充当电阻的作用，用黑表笔接假设的c极，红表笔接假设的e极，万用表打到R×1K档测量两极间的电阻Rce；之后将假设的c ,e 极对调再测一次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流流向一定是：黑表笔→e极→b极→c极→红表笔，其电流流向也与三极管符号中的箭头方向一致，所以此时黑表笔所接的一定是发射极e，红表笔所接的一定是集电极c。
２、对于NPN型三极管，用手指捏住b极与假设的c极，管脚间利用我们的手指充当电阻的作用，用黑表笔接假设的c极，红表笔接假设的e极，万用表打到R×1K档测量两极间的电阻Rce；之后将假设的c ,e 极对调再测一次。虽然两次测量中万用表指针偏转角度都很小，但仔细观察，总会有一次偏转角度稍大，此时电流的流向一定是：黑表笔→c极→b极→e极→红表笔，所以此时黑表笔所接的一定是集电极c，红表笔所接的一定是发射极e。
1 前言
用于控制、调节和开关目的的功率半导体器件需要更高的电压和更大的电流。功率半导体器件的开关动作受栅极电容的充放电控制。而栅极电容的充放电通常又受栅极电阻的控制。通过使用典型的+15V控制电压(VG(on))，IGBT导通，负输出电压为-5V～-15V时，IGBT关断。IGBT的动态性能可通过栅极电阻值来调节。栅极电阻影响IGBT的开关时间、开关损耗及各种其他参数，从电磁干扰EMI到电压和电流的变化率。因此，栅极电阻必须根据具体应用的参数非常仔细地选择和优化。
2 栅极电阻RG对IGBT开关特性的影响
IGBT开关特性的设定可受外部电阻RG的影响。由于IGBT的输入电容在开关期间是变化的，必须被充放电，栅极电阻通过限制导通和关断期间栅极电流(IG)脉冲的幅值来决定充放电时间(见图1)。由于栅极峰值电流的增加，导通和关断的时间将会缩短且开关损耗也会减少。减小RG(on)和RG(off)的阻值会增大栅极峰值电流。当减小栅极电阻的阻值时，需要考虑的是当大电流被过快地切换时所产生的电流上升率di/dt。电路中存在杂散电感在IGBT上产生大的电压尖峰，这一效果可在图2所示的IGBT关断时波形图中观察到。图中的阴影部分显示了关断损耗的相对值。集电极-发射极电压上的瞬间电压尖峰可能会损坏IGBT，特别是在短路关断操作的情况下，因为di/dt比较大。可通过增加栅极电阻的值来减小Vstray。因此，消除了由于过电压而带来的IGBT被损毁的风险。**的导通和关断会分别带来较高的dv/dt和di/dt，因此会产生更多的电磁干扰(EMI)，从而可能导致电路故障。表1显示不同的栅极电阻值对di/dt的影响。
