电子束蒸镀设备 E-beam Evaporation System
电子束蒸发与热蒸发对比, 能够在非常高的温度下熔化材料, 如钨, 石墨 ... 等等. 结合石英震荡片的反馈信号, 可轻松控制蒸发速率, 以调节电子束电流并蒸发更多材料而不会破坏真空. 因此, 电子束蒸发用于薄膜制程领域, 包括半导体, 光学, 太阳能电池板, 玻璃和建筑玻璃, 因此它们具有所需的导电, 反射, 透射和电子等特性.

上海伯东代理的电子束蒸镀设备是一种实用且高度可靠的系统, 蒸镀系统可针对量产使用单一坩埚也可以有多个坩埚来达到产品多层膜结构. 在基板乘载上针对半导体研究和大型设备设计, 单片和多片公自转的设计可以控制蒸发速率, 薄膜厚度和均匀度小于 +/- 3％. 腔体的极限真空度约为 10^-8 Torr. 为了获得-大的制程灵活性, 可以结合美国 KRi 离子源进行离子辅助沉积或者预清洁等功能.

上海伯东电子束蒸镀设备配置和优点
客制化的基板尺寸, -大直径可达 12寸晶圆
单载片或多载片 (2” x 32个，4” x 16个，6” x 6个，8” x 4个）
薄膜均匀度小于 ±3％
具有水冷坩埚的多组坩锅旋转电子束源 (1/2/4/6坩埚）
自动镀膜系统
具有顺序操作或共沉积的多个电子束源
基板具有冷却 (液态氮温度低至-70°C) 或加热 (温度-高800°C) 等功能

电子束蒸镀设备基本参数

腔体
由 304不锈钢所制成, 通过外部焊接 304不锈钢管线对腔体进行水冷
宽大的前开式门, 并有两个窗口和窗口遮版用于观察基材和电子束源
腔体的极限真空度约为 10^-8 Torr

选件
可以与传送腔, 机械手臂和手套箱整合在一起
结合美国 KRi 离子源, 溅镀枪, 热蒸发源, 等离子清洁...

应用领域
光学材料研究 (LED / Laser Diode)
光电元件
半导体元件

对传统热蒸发技术难以实现的材料蒸发, 可采用电子束蒸发的方式来实现. 不同于传统的辐射加热和电阻丝加热, 高能电子束轰击可实现超过 3000℃ 的局域高温, 这使得绝大部分常用材料都可以被蒸发出来, 甚至是高熔点的材料, 例如, Pt, W, Mo, Ta 以及一些氧化物, 陶瓷材料等. 上海伯东代理的电子束蒸发源可承载 1-6种不同的材料, 实现多层膜工艺; 蒸发源本身防污染设计, 使得不同材料之间的交叉污染降到-低.
 

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