品牌:semikron
起订:2只
供应:800只
发货:2天内
信息标签:代理赛米控SKKH57/16E SKKH72/16E,供应,电子、电工,电子元器件及组件
销售的部分产品型号如下:
西门康可控硅模块
SKKT42/18E SKKT56/12E
SKKT56/16E SKKT57/08E
SKKT57/12E SKKT57/14E
SKKT57/16E SKKT57/18E
SKKT57/22E SKKT57/20EH4
SKKT71/12E SKKT57/22EH4
SKKT71/16E SKKT72/08E
SKKT72/12E SKKT72/14E
SKKT72/16E SKKT72/20EH4
SKKT72/18E SKKT72/22EH4
SKKT91/12E SKKT91/16E
SKKT92/08E SKKT92/12E
SKKT92/14E SKKT92/16E
SKKT92/18E SKKT105/12E
SKKT105/16E SKKT106/08E
SKKT106/12E SKKT106/14E
SKKT106/16E SKKT106/18E
SKKT122/08E SKKT122/12E
SKKT122/14E SKKT122/16E
SKKT122/18E SKKT131/12E
SKKT131/16E SKKT132/08E
SKKT132/12E SKKT132/14E
SKKT132/16E SKKT132/20EH4
SKKT132/18E SKKT132/22EH4
SKKT161/12E SKKT161/16E
SKKT162/08E SKKT162/12E
SKKT162/14E SKKT162/20EH4
SKKT162/16E SKKT162/22EH4
SKKT162/18E SKKT172/08E
SKKT172/12E SKKT172/14E
SKKT172/16E SKKT172/18E
SKKT210/08E SKKT210/12E
SKKT210/14E SKKT210/16E
SKKT210/18E SKKT213/08E
SKKT213/12E SKKT213/14E
SKKT213/16E SKKT213/18E
SKKT250/08E SKKT250/12E
SKKT250/14E SKKT250/16E
SKKT250/18E SKKT253/12E
SKKT253/14E SKKT253/16E
SKKT253/18E SKKT273/12E
SKKT273/14E SKKT273/16E
SKKT273/18E SKKT280/12E
SKKT280/16E SKKT280/18E
SKKT280/20E SKKT280/22E
SKKT323/12E SKKT323/14E
SKKT323/16E SKKT330/08E
SKKT330/12E SKKT330/14E
SKKT330/16E SKKT330/18E
SKKT430/12E SKKT430/14E
SKKT430/16E SKKT430/18E
SKKT430/20E SKKT430/22
SKKT460/16E SKKT460/20EH4
SKKT460/22EH4 SKKT570/12E
SKKT570/16E SKKT570/18E
SKKT500/08E SKKT500/12E
SKKT500/14E SKKT500/16E
SKKT500/18E
SKKT20B/08E
SKKT20B/12E SKKT20B/14E
SKKT20B/16E SKKT27B/08E
SKKT27B/12E SKKT27B/14E
SKKT27B/16E SKKT27B/18E
SKKT42B/08E SKKT42B/12E
SKKT42B/14E SKKT42B/16E
SKKT42B/18E SKKT57B/08E
SKKT57B/12E SKKT57B/14E
SKKT57B/16E SKKT57B/18E
SKKT57B/22E SKKT72B/08E
SKKT72B/12E SKKT72B/14E
SKKT72B/16E SKKT72B/18E
SKKT92B/08E SKKT92B/12E
SKKT92B/14E SKKT92B/16E
SKKT92B/18E SKKT106B/08E
SKKT106B/12E SKKT106B/14E
SKKT106B/16E SKKT106B/18E
SKKH15/12E SKKH15/16E
SKKH20/12E SKKH20/16E
SKKH26/12E SKKH26/16E
SKKH27/12E SKKH27/16E
SKKH27/18E SKKH42/18E
SKKH41/12E SKKH41/16E
SKKH42/12E SKKH42/16E
SKKH42/08E SKKH42/14E
SKKH56/12E SKKH56/16E
SKKH56/08E SKKH56/14E
SKKH56/18E SKKH57/18E
SKKH57/12E SKKH57/16E
SKKH57/08E SKKH57/14E
SKKH71/12E SKKH71/16E
SKKH71/08E SKKH71/14E
SKKH71/18E SKKH72/18E
SKKH72/08E SKKH72/14E
SKKH72/12E SKKH72/16E
SKKH91/08E SKKH91/14E
SKKH91/12E SKKH91/16E
SKKH91/18E SKKH92/18E
SKKH92/08E SKKH92/14E
SKKH92/12E SKKH92/16E
SKKH105/08E SKKH105/14E
SKKH105/12E SKKH105/16E
SKKH106/08E SKKH106/14E
SKKH106/12E SKKH106/16E
SKKH106/18E SKKH105/18E
SKKH122/08E SKKH122/14E
SKKH122/12E SKKH122/16E
SKKH131/08E SKKH131/14E
SKKH131/12E SKKH131/16E
SKKH122/18E SKKH131/18E
SKKH132/08E SKKH132/14E
SKKH132/12E SKKH132/16E
SKKH132/18E SKKH132/20EH4
SKKH161/14E SKKH132/22EH4
SKKH161/12E SKKH161/16E
SKKH132/18E SKKH161/18E
SKKH162/08E SKKH162/20EH4
SKKH162/14E SKKH162/22EH4
SKKH162/12E SKKH162/16E
SKKH172/12E SKKH172/16E
SKKH162/18E SKKH172/18E
SKKH210/12E SKKH210/16E
SKKH213/12E SKKH213/16E
SKKH210/18E SKKH213/18E
SKKH250/12E SKKH250/16E
SKKH253/12E SKKH253/16E
SKKH250/18E SKKH253/18E
SKKH273/12E SKKH273/16E
SKKH280/12E SKKH280/20EH4
SKKH280/16E SKKH280/22EH4
SKKH273/18E SKKH280/18E
SKKH323/12E SKKH323/16E
SKKH323/18E SKKH330/12E
SKKH330/14E SKKH330/16E
SKKH330/18E SKKH430/14E
SKKH430/12E SKKH430/20EH4
SKKH430/16E SKKH430/22EH4
SKKH430/18E SKKH460/16E
SKKH460/18E SKKH460/20EH4
SKKH500/14E SKKH460/22EH4
SKKH500/12E SKKH500/16E
SKKH500/18E SKKH570/12E SKKH570/16E SKKH570/18E
西门康整流桥模块
SKB25/12 SKB25/16
SKB30/08 SKB30/12
SKB30/16 SKB50/04
SKB50/12 SKB50/16
SKD25/12 SKD25/16
SKD30/04 SKD30/08
SKD30/12 SKD30/16
SKD31/12 SKD31/16
SKD33/12 SKD33/16
SKD40/08 SKD50/08
SKD50/12 SKD50/16
SKD51/12 SKD51/16
SKD53/12 SKD53/16
SKD60/12 SKD60/16
SKD62/12 SKD62/16
SKD82/12 SKD82/16
SKD83/08 SKD83/12
SKD100/12 SKD100/16
SKD110/12 SKD110/16
SKD160/12 SKD160/16
SKD210/12 SKD210/16
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。 IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。