电子元器件及组件
赛米控可控硅SKKT72/16E SKKT72/20EH4
发布时间:2012-08-03 09:41:48 产品编号:GY-5-7965635  分享
价格:11.00/只
品牌:semikron
起订:2只
供应:1000只
发货:2天内
信息标签:赛米控可控硅SKKT72/16E SKKT72/20EH4,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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销售的部分产品型号如下:
西门康可控硅模块
SKKT20/12E SKKT20/14E
SKKT20/16E SKKT26/12E
SKKT26/16E SKKT27/08E
SKKT27/12E SKKT27/14E
SKKT27/16E SKKT27/18E
SKKT41/12E SKKT41/16E
SKKT42/08E SKKT42/12E
SKKT42/14E SKKT42/16E
SKKT42/18E SKKT56/12E
SKKT56/16E SKKT57/08E
SKKT57/12E SKKT57/14E
SKKT57/16E SKKT57/18E
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SKKT71/12E SKKT57/22EH4
SKKT71/16E SKKT72/08E
SKKT72/12E SKKT72/14E
SKKT72/16E SKKT72/20EH4
SKKT72/18E SKKT72/22EH4
SKKT91/12E SKKT91/16E
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SKKT105/16E SKKT106/08E
SKKT106/12E SKKT106/14E
SKKT106/16E SKKT106/18E
SKKT122/08E SKKT122/12E
SKKT122/14E SKKT122/16E
SKKT122/18E SKKT131/12E
SKKT131/16E SKKT132/08E
SKKT132/12E SKKT132/14E
SKKT132/16E SKKT132/20EH4
SKKT132/18E SKKT132/22EH4
SKKT161/12E SKKT161/16E
SKKT162/08E SKKT162/12E
SKKT162/14E SKKT162/20EH4
SKKT162/16E SKKT162/22EH4
SKKT162/18E SKKT172/08E
SKKT172/12E SKKT172/14E
SKKT172/16E SKKT172/18E
SKKT210/08E SKKT210/12E
SKKT210/14E SKKT210/16E
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SKKT213/12E SKKT213/14E
SKKT213/16E SKKT213/18E
SKKT250/08E SKKT250/12E
SKKT250/14E SKKT250/16E
SKKT250/18E SKKT253/12E
SKKT253/14E SKKT253/16E
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SKKT323/16E SKKT330/08E
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SKKT330/16E SKKT330/18E
SKKT430/12E SKKT430/14E
SKKT430/16E SKKT430/18E
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SKKT460/16E SKKT460/20EH4
SKKT460/22EH4 SKKT570/12E
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SKKT500/08E SKKT500/12E
SKKT500/14E SKKT500/16E
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SKKT20B/08E
SKKT20B/12E SKKT20B/14E
SKKT20B/16E SKKT27B/08E
SKKT27B/12E SKKT27B/14E
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SKKT42B/18E SKKT57B/08E
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SKKT72B/16E SKKT72B/18E
SKKT92B/08E SKKT92B/12E
SKKT92B/14E SKKT92B/16E
SKKT92B/18E SKKT106B/08E
SKKT106B/12E SKKT106B/14E
SKKT106B/16E SKKT106B/18E

 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。   IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+ 区称为源区,附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector ),它是IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP 晶体管提供基极电流,使IGBT 导通。反之,加反向门极电压消除沟道,切断基极电流,使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同,只需控制输入极N一沟道MOSFET ,所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后,从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子),对N 一层进行电导调制,减小N 一层的电阻,使IGBT 在高电压时,也具有低的通态电压。
 

西门康 SEMIKRON,IGBT 模块
SKM200GA123D  SKM400GA173D SKM300GA123D SKM300GA173D
SKM400GA123D KM500GA174D SKM500GA123D SKM500GA124D
SKM600GA124DSKM50GB123D  SKM145GAL123D
SKM75GB123D  SKM150GAL123D SKM100GB123D SKM200GAL123D
SKM145GB123D  SKM300GAL123D SKM150GB123D SKM400GAL124D
SKM200GB123D  SKM100GAL173D SKM400GB123D SKM200GAL173D SKM75GB124D SKM200GAL125D
SKM100GB124D SKM400GAL125D SKM145GB124D  SKM300GB124D
SKM150GB124D  SKM400GB124D SKM200GB124D  SKM200GB174D
SKM75GB173D  SKM200GAR173D SKM100GB173D  SKM75GAR123D SKM150GB173D SKM100GAR123D
SKM145GB174DN SKM145GAR123D SKM200GB173D  SKM150GAR123D
SKM50GAL123D  SKM300GAR123D SKM75GAL123D  SKM400GAR124D
SKM100GAL123D  SKM145GAL124D SKM22GD123D  SKM75GD123D
SKM40GD123D SKM100GD123D SKM40GD124D SKM75GD124D

 三菱MITSUBISHI
CM1000HA-28H  CM800HA-66H CM400HA-34H  CM1200HA-66H
CM800HD-66H  CM800HD-50H CM1200HD-50H 1200A/2500V/1U
CM1200HD-66H 1200A/3300V/1U  CM400DU-12H  CM75DU-12E
CM50DY-12H   CM50E3Y-12E CM75DY-12H   CM75E3Y-12E
CM100DY-12H  CM100E3Y-12E CM150DY-12H  CM150E3Y-12E
CM200DY-12H  CM200E3Y-12E CM300DY-12H  CM300E3Y-12E
CM400DY-12H  CM50E3U-12E CM75DU-12H   CM75E3U-12E
CM100DU-12H  CM100E3U-12ECM150DU-12H  CM150E3U-12E
CM200DU-12H  CM200E3U-12E CM300DU-12H  CM300E3U-12E
CM100DY-12E  CM200DU-12E CM150DY-12E  CM300DU-12E
CM200DY-12E  CM400DU-12E CM300DY-12E  CM400DY-12E
CM50DY-24H CM300DY-28H  CM75DY-24E  CM75DU-24E
CM75DY-24H  CM50E3Y-24E CM100DY-24H  CM75E3Y-24E
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