价格:1.00/只
品牌:semikron
起订:2只
供应:600只
发货:2天内
信息标签:赛米控可控硅SKKT26/16E SKKT27/14E,供应,电子、电工,电子元器件及组件

点击这里进行电话呼叫

联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠！如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名，点击立即免费注册，发布产品推广。

  昆山唯美电子有限公司面向全国，是苏州**模块供应商，代理商。质量**，客户至上。
    全新原装，特约代理，大量现货库存
    ABB 、POSEICO、 WESTCODE 、IXYS 、SEMIKRON 、CATELEC 、SanRex、MITSUBISHI、EUPEC 、infineon 、POWERSEM 、DAWIN、BUSSMANN、TYCO 可控硅 IGBT IPM PIM系列等原装进口模块,熔断器。现货量大,品质优,价格廉,售后有保障,提供技术支持,欢迎来电来函。

销售的部分产品型号如下：
西门康可控硅模块
SKKT15/06E SKKT15/08E
SKKT15/12E SKKT15/14E
SKKT15/16E SKKT20/08E
SKKT20/12E SKKT20/14E
SKKT20/16E SKKT26/12E
SKKT26/16E SKKT27/08E
SKKT27/12E SKKT27/14E
SKKT27/16E SKKT27/18E
SKKT41/12E SKKT41/16E
SKKT42/08E SKKT42/12E
SKKT42/14E SKKT42/16E
SKKT42/18E SKKT56/12E
SKKT56/16E SKKT57/08E
SKKT57/12E SKKT57/14E
SKKT57/16E SKKT57/18E
SKKT57/22E SKKT57/20EH4
SKKT71/12E SKKT57/22EH4
SKKT71/16E SKKT72/08E
SKKT72/12E SKKT72/14E
SKKT72/16E SKKT72/20EH4
SKKT72/18E SKKT72/22EH4
SKKT91/12E SKKT91/16E
SKKT92/08E SKKT92/12E
SKKT92/14E SKKT92/16E
SKKT92/18E SKKT105/12E
SKKT105/16E SKKT106/08E
SKKT106/12E SKKT106/14E
SKKT106/16E SKKT106/18E
SKKT122/08E SKKT122/12E
SKKT122/14E SKKT122/16E
SKKT122/18E SKKT131/12E
SKKT131/16E SKKT132/08E
SKKT132/12E SKKT132/14E
SKKT132/16E SKKT132/20EH4
SKKT132/18E SKKT132/22EH4
SKKT161/12E SKKT161/16E
SKKT162/08E SKKT162/12E
SKKT162/14E SKKT162/20EH4
SKKT162/16E SKKT162/22EH4
SKKT162/18E SKKT172/08E
SKKT172/12E SKKT172/14E
SKKT172/16E SKKT172/18E
SKKT210/08E SKKT210/12E
SKKT210/14E SKKT210/16E
SKKT210/18E SKKT213/08E
SKKT213/12E SKKT213/14E
SKKT213/16E SKKT213/18E
SKKT250/08E SKKT250/12E
SKKT250/14E SKKT250/16E
SKKT250/18E SKKT253/12E
SKKT253/14E SKKT253/16E
SKKT253/18E SKKT273/12E
SKKT273/14E SKKT273/16E

SKKT273/18E SKKT280/12E
SKKT280/16E SKKT280/18E
SKKT280/20E SKKT280/22E
SKKT323/12E SKKT323/14E
SKKT323/16E SKKT330/08E
SKKT330/12E SKKT330/14E
SKKT330/16E SKKT330/18E
SKKT430/12E SKKT430/14E
SKKT430/16E SKKT430/18E
SKKT430/20E SKKT430/22
SKKT460/16E SKKT460/20EH4
SKKT460/22EH4 SKKT570/12E
SKKT570/16E SKKT570/18E
SKKT500/08E SKKT500/12E
SKKT500/14E SKKT500/16E
SKKT500/18E
　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 　　IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区(包括P+ 和P 一区)(沟道在该区域形成)，称为亚沟道区( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。　IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴(少子)，对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。
 

西门康 SEMIKRON,IGBT 模块
SKM200GA123D  SKM400GA173D SKM300GA123D SKM300GA173D
SKM400GA123D KM500GA174D SKM500GA123D SKM500GA124D
SKM600GA124DSKM50GB123D  SKM145GAL123D
SKM75GB123D  SKM150GAL123D SKM100GB123D SKM200GAL123D
SKM145GB123D  SKM300GAL123D SKM150GB123D SKM400GAL124D
SKM200GB123D  SKM100GAL173D SKM400GB123D SKM200GAL173D SKM75GB124D SKM200GAL125D
SKM100GB124D SKM400GAL125D SKM145GB124D  SKM300GB124D
SKM150GB124D  SKM400GB124D SKM200GB124D  SKM200GB174D
SKM75GB173D  SKM200GAR173D SKM100GB173D  SKM75GAR123D SKM150GB173D SKM100GAR123D
SKM145GB174DN SKM145GAR123D SKM200GB173D  SKM150GAR123D
SKM50GAL123D  SKM300GAR123D SKM75GAL123D  SKM400GAR124D
SKM100GAL123D  SKM145GAL124D SKM22GD123D  SKM75GD123D
SKM40GD123D SKM100GD123D SKM40GD124D SKM75GD124D