电子元器件及组件
LD5523NGL-M
发布时间:2016-06-08 14:09:08 产品编号:GY-5-85410014  分享
价格:未填
发货:3天内
信息标签:LD5523NGL-M,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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LD5523N
具有集成 BNI/BNO 和保护功能的反激式多模式 PWM 控制器
为提高效率性能,LD5523N 集成了多模式 PWM 控制器,该控制器由用于轻载条件的准谐振 (QR) PWM 控制和用于重载条件的连续导通模式 (CCM) 组成。而且,QR控制器不仅提升了系统性能,还带来了更差的EMI能力,而LD5523N的频率交换功能可以降低SMPS的EMI辐射,帮助电源电路设计人员简单处理EMI滤波器,节省几个元件和发展时间。
LD5523N 采用 SOT-26 封装,包括全面的保护功能,如过载保护 (OLP)、过压保护 (OVP)、输出短路保护 (OSCP) 和内部过温保护 (OTP)。此外,可编程的降压输入/输出和大容量电容。 OVP 保护是内置的。
特征
具有准谐振 + CCM 操作的次级侧反馈控制
低启动电流 (<1mA)
0.285mA 轻载超低工作电流
具有逐周期电流限制的电流模式控制
绿色模式控制
UVLO(欠压锁定)
CS 引脚上的 LEB(前沿消隐)
VCC OVP(过压保护)
形容词 FB 引脚上的 OVP / UVP
形容词 BNI/BNO,Bulk cap。 FB 引脚上的 OVP
OLP(过载保护)
CS 引脚上的外部 OTP(过温保护)
内部 OTP(过温保护)
SDSP(二级二极管短路保护)
栅极源极/漏极能力:220mA/-350mA @ 输出引脚,带 33nF 电容器。
应用
开关式 AC/DC 适配器

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