以上系列型号是新洁能12-200V N沟道MOSFET

描述

采用**的沟槽技术和设计，以低栅电荷提供优良的R_DS（ON）。它们可以用于各种各样的应用。

总体特点

●高密度电池设计，超低R_DS（ON）

●全特性雪崩电压和电流

●稳定性好，均匀性好，E_AS高

●优良的包装，散热性好

●特殊工艺技术，防静电能力强

应用

●电源开关应用

●硬切换和高频电路

●不间断电源

NCE0224K(封装 TO-252): V_DS = 200V, I_D= 24A

R_DS（ON） < 80mΩ @ V_GS=10V (Typ:64mΩ)

NCE3050K（封装TO-252-2L）: V_DS = 30V, I_D = 50A

R_DS（ON） < 11mΩ @ V_GS =10V (Typ:8mΩ)

R_DS（ON） < 16mΩ @ V_GS =4.5V (Typ:10mΩ)

NCE6020AI （封装TO-252-2L）: V_DS = 60V, I_D = 20A

R_DS（ON） <25mΩ @ V_GS =10V

R_DS（ON） <31mΩ @ V_GS =4.5V

NCE0130A（封装TO-220-3L）: V_DS = 100V, I_D = 30A

R_DS（ON） < 32mΩ @ V_GS =10V (Typ:25mΩ)

NCE0157A2（封装TO-220-3L）: V_DS = 100V, I_D = 57A