CS2N65A4HY，硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗，改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-252，符合RoHS标准。
 

特征

**切换

低导通电阻（Rdson≤5Ω)

低栅极电荷（典型数据：9nC）

低反向转移电容（典型值：6pF）

100%单脉冲雪崩能量测试
 

应用

适配器和充电器的电源开关电路。