品牌:华润华晶
发货:3天内
信息标签:华润华晶CS4N65A4HDY,供应,电子、电工,开关
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CS4N65A4HDY,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-252,符合RoHS标准。
特征
**切换
ESD改进能力
低栅极电荷(典型数据:14.5nC)
低反向转移电容(典型值:8.5pF)
100%单脉冲雪崩能量测试
应用
适配器和充电器的电源开关电路。