品牌:华润华晶
发货:3天内
信息标签:华润华晶CS16N65FA9R-G,供应,电子、电工,开关
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CS16N65FA9R-G,硅N沟道增强型VDMOSFET是通过自对准平面技术获得的这减少了传导损耗,改善了开关性能并增强雪崩能量。晶体管可用于系统的各种电源开关电路小型化和更高的效率。包装形式为TO-220F,符合RoHS标准。
特征
•**切换
•低导通电阻(Rdson≤0.56Ω)
•低栅极电荷(典型数据:50.5oC)
•低反向转移电容(典型值:10.4pF)
•100%单脉冲雪崩能量测试
•无卤素
应用
适配器和充电器的电源开关电路