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TCS208F气体传感器技术参数
一. 技术参数
1. **限值
|
**小 |
典型 |
** |
单位 |
热功率P(Rm1+Rm2): |
— |
— |
30 |
mW |
测量温度Tm |
— |
— |
180 |
°C |
环境温度 |
-20 |
— |
+85 |
°C |
气体压力(1) |
— |
— |
200 |
bar |
注:由于膜的热时间常数短,短时间的加过高的热功率会毁坏传感器。
2. 说明书:
|
**小 |
典型 |
** |
单位 |
|
电阻,Rm1,Rm2(Tm=25°C) |
92 |
100 |
115 |
Ω |
|
电阻,Rt1,Rt2 |
220 |
240 |
275 |
Ω |
|
商,Rtx / ( Rm1+Rm2 ),x∈{1,2} |
1.13 |
1.2 |
1.27 |
1 |
|
阻抗差,Rm1 - Rm2 |
-2.0 |
— |
+2.0 |
Ω |
|
α=温度系数,( Rm, Rt ) | 20 - 100°C |
4.8(2) |
5.5 |
5.9 |
10-3·K-1 |
|
G =几何系数(3) |
— |
3.6 |
— |
mm |
|
τm =膜的热时间常数 |
— |
<5 |
— |
ms |
|
τdiffusion =气体交换的时间常数 |
— |
<100 |
— |
ms |
|
漂移( Rxy ) | x∈{m,t} ; y∈{1,2} |
— |
0.001 |
0.01 |
%/week |
|
散射结构的体积 |
— |
0.2 |
— |
mm3 |
|
保持干净的周围环境空间大小 |
— |
100 |
— |
mm3 |
|
基础材料 |
硅,采用蚀刻技术获得微观结构 |
||||
尺寸结构: 包括底座 不包括底座 |
3mm × 3mm × 1mm |
||||
13mm Ø × 15.4mm |
|||||
暴露在空气中的材料 |
Si, SiOxNy, 金, 环氧材料 |
注释: (1) 根据供应商的说明书对于适当的设备提供的压力参数
(2) α的**小值只适用于与低规格电压辅助源结合的情况. 产品会不断的改良使它更接近于DIN 43760的规格.
(3) 因数G是由内部的传感器的机构决定的.
联系人:王海福 联系电话:13116719459