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信息标签:雪崩能量测试台-西安精华伟业-专业IGBT 检测及可靠性设备,供应,加工,行业专用设备加工

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配置	测试范围	测试参数	条件		范围
电压1000V	IGBT 绝缘栅极双极型晶体管	EAS/单脉冲雪崩能量	VCE	20V~4500V	20V~100V±3%±1V 100V~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V
电流200A	MOSFETS MOS场效应管	EAR/重复脉冲雪崩能量	IC	1mA~200A	1mA~100mA±3%±0.1mA 100mA~2A±3%±5mA 2A~200A±3%±50mA
	DIODES 二极管	IAS/脉冲雪崩电流 PAS/单脉冲雪崩功率	Ea	1J~2000J	1J~100J±3%±1J 100J~500J±3%±5J 500J~2000J±3%±10J
			IC(检测）	50mV/A(取决于传感器）
			感性负载	10mH、20mH、40mH、80mH、100mH
			重复间隙时间	1~60s可调（进步is）重复次数：1~50次