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便携式半导体器件静态参数测试仪(DBC-350)+西安精华伟业电气科技有限公司
发布时间:2022-10-27 15:59:29 产品编号:GY-5-231518912 分享
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系统特征
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序号
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测试器件
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01
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二极管
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02
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晶体管NPN型/PNP型
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03
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J型场效应管
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04
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MOS场效应管
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05
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双向可控硅
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06
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可控硅
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07
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lGBT
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08
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硅触发可控硅
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09
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达林顿阵列
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10
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金属氧化物压变电阻
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12
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固态过压保护器
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|
13
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稳压、齐纳二极管
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规格/环境：
|
栅极发射极
|
VGES:0-40V
|
分辨率0. 1V
|
|
lGES:0.1-10Ua
|
分辨率0.01uA
|
|
|
Vce:0V
|
||
|
集电极发射极
|
Vces:100-3000v
|
分辨率10V
|
|
lces:100UA-5mA
|
分辨率10uA
|
|
|
Vge:0V
|
Vge:0V
|
|
|
栅极发射极阈值电压
|
Vge(th):1-10V
|
分辨率0lV
|
|
集电极
发射极
饱和电压
|
VCE(sat):02-5V
|
分辨率0.01V
|
|
lCE:10-100A
|
分辨率1A
|
|
|
二极管
|
VF:0-5V
|
分辨率0.01V
|
|
lF:0-100A
|
分辨率1A
|
|
|
Vge:0V
|
||
|
二极管反向-大
可恢复直流电压 |
Vces:100-3000V
|
分辨率10V
|
|
lces; 100UA-5mA
|
分辨率10uA
|
人机界面：
测试选择 数据处理
联系方式
公司:西安精华伟业电气科技有限公司
状态:离线 发送信件
姓名:李华南(先生)
电话:029-89233978
手机:15399088025
地区:陕西-西安市
地址:陕西省西安市高新区造字台路109号初元科技园1栋1单元10202室
商铺:http://m.ceoie.com/jhwy91610131/
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