电子元器件及组件
仙童FDPF18N50双极晶体管封装TO-220现货参数价格
发布时间:2016-09-08 18:01:33 产品编号:GY-5-98792405  分享
价格:未填
品牌:仙童
发货:3天内
信息标签:仙童FDPF18N50双极晶体管封装TO-220现货参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  双极型晶体管是一种电流控制器件,电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比,双极型晶体管开关速度慢,输入阻抗小,功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高,已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域,起放大、振荡、开关等作用。
  晶体管:用不同的掺杂方式在同一个硅片上制造出三个掺杂区域,并形成两个PN结,就构成了晶体管.

仙童双极晶体管现货型号:
FQA9N90C TO-3P
FQA11N90C TO-3P
FQA13N80 TO-3P
FQA38N30 TO-3P
FQA24N50 TO-3P
FQA28N50 TO-3P
FQA40N25 TO-3P
FQA70N10 TO-3P
FQA140N10 TO-3P
FDA59N30 TO-3P
FDA50N50 TO-3P
FJA13009TU TO-3P
FGA15N120ANTD TO-3P
FGA25N120ANTD TO-3P
FFA60UP20DN TO-3P
FFA60UP30DN TO-3P
FFA60UA60DN TO-3P
FS7M0880TU TO-3P
RHRG30120 TO-247

仙童FDPF18N50双极晶体管封装TO-220现货参数价格
价格:1
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS: 符合RoHS 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 500 V
Id-连续漏极电流: 18 A
Rds On-漏源导通电阻: 265 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
**工作温度: + 150 C
封装: Bulk
通道模式: Enhancement
商标: Fairchild Semiconductor
配置: Single
下降时间: 90 ns
正向跨导 - **小值: 25 S
高度: 9.19 mm
长度: 10.16 mm
**小工作温度: - 55 C
Pd-功率耗散: 38.5 W
上升时间: 165 ns
工厂包装数量: 1000
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 95 ns
典型接通延迟时间: 55 ns
宽度: 4.7 mm
单位重量: 2.270 g
产品参数
产品封装结构尺寸
产品封装结构尺寸

特点
输入特性曲线:描述了在管压降UCE一定的情况下,基极电流iB与发射结压降uBE之间的关系称为输入伏安特性,可表示为: 硅管的开启电压约为0.7V,锗管的开启电压约为0.3V。
输出特性曲线:描述基极电流IB为一常量时,集电极电流iC与管压降uCE之间的函数关系。可表示为:
双极型晶体管输出特性可分为三个区
★截止区:发射结和集电结均为反向偏置。IE@0,IC@0,UCE@EC,管子失去放大能力。如果把三极管当作一个开关,这个状态相当于断开状态。
★饱和区:发射结和集电结均为正向偏置。在饱和区IC不受IB的控制,管子失去放大作用,UCE@0,IC=EC/RC,把三极管当作一个开关,这时开关处于闭合状态。
★放大区:发射结正偏,集电结反偏。

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