品牌:ISOCOM
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信息标签:ISOCOM光耦IS3051SM现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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ISOCOM光耦IS3051SM现货技术参数价格资料
发布时间:2016-08-29 18:09:30 产品编号:GY-5-97298486 分享
价格:未填
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事实上，光耦合器是一种由光电流控制的电流转移器件，其输出特性与普通双极型晶体管的输出特性相似，因而可以将其作为普通放大器直接构成模拟放大电路，并且输入与输出间可实现电隔离。然而，这类放大电路的工作稳定性较差，无实用价值。究其原因主要有两点：一是光耦合器的线性工作范围较窄，且随温度变化而变化；二是光耦合器共发射极电流传输系数β和集电极反向饱和电流ICBO(即暗电流)受温度变化的影响明显。因此，在实际应用中，除应选用线性范围宽、线性度高的光耦合器来实现模拟信号隔离外，还必须在电路上采取有效措施，尽量消除温度变化对放大电路工作状态的影响。
特性：
光电耦合器在行业内处于跟随****同类厂商的地位，各系列产品对VISHAY、Avago、Fairchild、Sharp、NEC、Toshiba、Liteon、COSMO等**厂商产品进行PIN对PIN完美互代。拥有完整的光耦产品结构，包括；达灵顿晶体管系列光耦、高速光耦系列光耦、晶体管系列光耦、三端双向可控开关元件系列光耦、施密特触发器系列光耦。
器件采用小尺寸SSOP-4微型扁平封装，采用两次模塑结构，比DIP-4封装节省60%以上的电路板空间，高压性能优于其他供应商的共平面结构产品。
凭借±1mA（VOS628A）和±5mA（VOS627A）的低交流输入电流，今天发布的这些光耦可用于可编程逻辑控制器、工业控制系统和办公自动化设备。这些器件可保护设备使用者免遭电击，保护这些系统里的微处理器避免受到电压尖峰的破坏。
半节距微型扁平封装的VOS628A和VOS627A系列具有从50%到600%的多种电流传输比（CTR），为设计者提供了更多的灵活性。器件也被称为光隔离器，具有可与硅平面光电晶体管探测器形成光耦合的GaAs红外发射二极管。SSOP-4封装使器件的隔离电压达到3750VRMS，半引线节距为1.27mm（50mils），爬电和安全距离大于5mm。
新系列光耦符合RoHS指令2011/65/EU，符合Vishay的“绿色”标准。这些器件通过了UL、CSA（双重保护）、VDE、FIMKO和CQC安全标准认定。
ISOCOM光耦IS3051SM现货技术参数价格资料特性：
光电耦合器在行业内处于跟随****同类厂商的地位，各系列产品对VISHAY、Avago、Fairchild、Sharp、NEC、Toshiba、Liteon、COSMO等**厂商产品进行PIN对PIN完美互代。拥有完整的光耦产品结构，包括；达灵顿晶体管系列光耦、高速光耦系列光耦、晶体管系列光耦、三端双向可控开关元件系列光耦、施密特触发器系列光耦。
器件采用小尺寸SSOP-4微型扁平封装，采用两次模塑结构，比DIP-4封装节省60%以上的电路板空间，高压性能优于其他供应商的共平面结构产品。
凭借±1mA（VOS628A）和±5mA（VOS627A）的低交流输入电流，今天发布的这些光耦可用于可编程逻辑控制器、工业控制系统和办公自动化设备。这些器件可保护设备使用者免遭电击，保护这些系统里的微处理器避免受到电压尖峰的破坏。
半节距微型扁平封装的VOS628A和VOS627A系列具有从50%到600%的多种电流传输比（CTR），为设计者提供了更多的灵活性。器件也被称为光隔离器，具有可与硅平面光电晶体管探测器形成光耦合的GaAs红外发射二极管。SSOP-4封装使器件的隔离电压达到3750VRMS，半引线节距为1.27mm（50mils），爬电和安全距离大于5mm。
新系列光耦符合RoHS指令2011/65/EU，符合Vishay的“绿色”标准。这些器件通过了UL、CSA（双重保护）、VDE、FIMKO和CQC安全标准认定。
价格：1
RoHS: 符合RoHS 详细信息
封装 / 箱体: SOP-5
输出类型: Photo MOSFET
通道数量: 1 Channel
绝缘电压: 5000 Vrms
Vf - 正向电压: 1.8 V
Pd-功率耗散: 500 mW
**工作温度: + 100 C
**小工作温度: - 40 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
高度: 2.6 mm
长度: 9.2 mm
输出电流: 2.5 A
工厂包装数量: 2000
宽度: 3.95 mm
单位重量: 400 mg
产品架构图
光电耦合的主要特点如下：
1.输入和输出端之间绝缘，其绝缘电阻一般都大于10000MΩ，耐压一般可超过1kV，有的甚至可以达到10kV以上。
2.由于光接收器只能接受光源的信息，反之不能，所以信号从光源单向传输到光接收器时不会出现反馈现象，其输出信号也不会影响输入端。
3.由于发光器件（砷化镓红外二极管）是阻抗电流驱动性器件，而噪音是一种高内阻微电流电压信号。因此光电耦合器件的共模抑制比很大，所以，光电耦合器件可以很好地抑制干扰并消除噪音。
4.容易和逻辑电路配合。
5.响应速度快。光电耦合器件的时间常数通常在微秒甚至毫微秒极。
6.无触点、寿命长、体积小、耐冲击。
该产品集成了红外发光二极管和具有功率输出级的集成电路，可以用于驱动功率IGBT和MOSFET的电机控制应用中。
**后，谈到产品性能和质量，蔡总举了一个例子，**的一款产品对光耦的性能有很高要求，**对许多厂家的样片进行了对比测试。结果其他公司的产品都未能通过试验，而经过Isocom技术总监专程从英国过来到**进行现场调试，筛选出了完全符合**要求的光耦。这点让**很是惊讶！
当用光电耦合器作交流信号传输时，必须考虑它的频率特性。采用GaAs发光二极管及硅光电三极管的光耦，其**高工作频率约为500kHz；其响应时间小于10μs。
在使用时要注意的红外发光二极管的反压VR一般是很低的，有的VR仅3V。因此在使用时输入端不能接反，防止红外发光二极管因反压过高而击穿。
对于光耦的好坏应如何界定，有工程师可能比较茫然。对此，蔡逸谷表示，虽然光耦的种类很多，规格各异，但是如果考虑到特定的应用条件，选择一款合适的光耦并不困难。这可以由电流传输比（CTR）和耐压值来确定。好的光耦可以达到很大的电流传输比和较高的隔离电压值。CTR表征了器件缩放电流的能力，隔离电压表征了其耐压能力。
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