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信息标签:ISOCOM光耦IS357C现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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ISOCOM光耦IS357C现货技术参数价格资料
发布时间:2016-08-29 18:03:33 产品编号:GY-5-97298011 分享
价格:未填
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使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离，在设计电路时，必须遵循下列原则：所选用的光电耦合器件必须符合国际的有关隔离击穿电压的标准；由英国埃索柯姆（Isocom）公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列（如4N25 、4N26、4N35）光耦合器，目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号（高、低电平），可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线；普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号。因此，它适合传输模拟信号，输出与输入之间呈线性关系。温度、电流等多重因素的影响下，基本上传输特性还是条直线。
线性度不好的光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号(高、低电平)，可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。如6N137，CTR大的离谱，手册里不直接提这个事情，直接上输出电压与输入电流的关系。
大型开关电源中，驱动信号驱动功率器件需要隔离。这时，开关波形通过光耦的延时显得尤为重要。尽量选择延时比较小的光耦，下图是测试电路。在整个开关电源电路工作中，延时过大导致开关电源的瞬态响应变差，过小占空比和过大占空比传输不过去，只能牺牲调节精度和速度。所以，**光耦的带宽不小于MHz级。延迟时间不宜超过周期的1%。
还有一些直接整合图腾柱的光耦，适合驱动IGBT和大功率的mosfet，如ACPL-P341/ACPL-W341。其实也可以在外部做图腾柱的，电流也可以做得很大。集成得就是比较好用，生产问题会少一些，也会更可靠一些。
技术参数
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
光耦中的电阻
半导体器件的PN结中总有结电容的存在，具有对电荷存储的作用，这使得器件的工作频率变低响应变慢。并接电阻，提供结电容的电荷泄放通路，可以提高响应速度，在输入高速开关量信号时，才可以看出此电阻的作用，能显着提高器件的反应速度。并接电阻应该还有另一个作用，即是将输入电路由“高阻态”变为“低阻态”，消解异常噪波，提高抗干扰能力。
ISOCOM光耦IS357C现货技术参数价格资料光耦合器与普通光耦合器典型的CTR-IF特性曲线；普通光耦合器的CTR-IF特性曲线呈非线性，在IF较小时的非线性失真严重，因此它不适合传输模拟信号。线性光耦合器的CTR-IF特性曲线具有良好的线性度，特别是在传输小信号。因此，它适合传输模拟信号，输出与输入之间呈线性关系。温度、电流等多重因素的影响下，基本上传输特性还是条直线。
线性度不好的光耦合器呈现开关特性，其线性度差，适宜传输数字信号(高、低电平)，可以用于单片机的输出隔离；所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。如6N137，CTR大的离谱，手册里不直接提这个事情，直接上输出电压与输入电流的关系。
大型开关电源中，驱动信号驱动功率器件需要隔离。这时，开关波形通过光耦的延时显得尤为重要。尽量选择延时比较小的光耦，下图是测试电路。在整个开关电源电路工作中，延时过大导致开关电源的瞬态响应变差，过小占空比和过大占空比传输不过去，只能牺牲调节精度和速度。所以，**光耦的带宽不小于MHz级。延迟时间不宜超过周期的1%。
还有一些直接整合图腾柱的光耦，适合驱动IGBT和大功率的mosfet，如ACPL-P341/ACPL-W341。其实也可以在外部做图腾柱的，电流也可以做得很大。集成得就是比较好用，生产问题会少一些，也会更可靠一些。
技术参数
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
光耦中的电阻
半导体器件的PN结中总有结电容的存在，具有对电荷存储的作用，这使得器件的工作频率变低响应变慢。并接电阻，提供结电容的电荷泄放通路，可以提高响应速度，在输入高速开关量信号时，才可以看出此电阻的作用，能显着提高器件的反应速度。并接电阻应该还有另一个作用，即是将输入电路由“高阻态”变为“低阻态”，消解异常噪波，提高抗干扰能力。
价格：1
RoHS: 符合RoHS 详细信息
封装 / 箱体: SOIC-8
数据速率: 25 Mbps
通道数量: 1 Channel
输出类型: Photo IC
绝缘电压: 3750 Vrms
If - 正向电流: 10 mA
Pd-功率耗散: 90 mW
**工作温度: + 105 C
**小工作温度: - 40 C
封装: Bulk
商标: Fairchild Semiconductor
下降时间: 6.5 ns
高度: 3.43 mm
长度: 5.13 mm
输出电流: 10 mA
上升时间: 6.5 ns
工厂包装数量: 3000
宽度: 4.16 mm
单位重量: 252 mg
结构特点
光电耦合的主要特点如下：
1.输入和输出端之间绝缘，其绝缘电阻一般都大于10000MΩ，耐压一般可超过1kV，有的甚至可以达到10kV以上。
2.由于光接收器只能接受光源的信息，反之不能，所以信号从光源单向传输到光接收器时不会出现反馈现象，其输出信号也不会影响输入端。
3.由于发光器件（砷化镓红外二极管）是阻抗电流驱动性器件，而噪音是一种高内阻微电流电压信号。因此光电耦合器件的共模抑制比很大，所以，光电耦合器件可以很好地抑制干扰并消除噪音。
4.容易和逻辑电路配合。
5.响应速度快。光电耦合器件的时间常数通常在微秒甚至毫微秒极。
6.无触点、寿命长、体积小、耐冲击。
高速光耦可能是全****齐全的一条产品线了。300K的光耦主要是6N138和6N139。1M的光耦主要有6N135和6N136。不过无锡海明威电子研究发现按照现在的光耦技术水平来说，1M的光耦已经不能称之为高速光耦了。
现在的高速光耦以5M的产品**为丰富，当然其中包括正相输出和反相输出。这其中**代表性的就是TLP105和TLP108，一正一反，速度都是5M，封装也一模一样为MFSOP6。
然而再往上，似乎都是反转逻辑（反相）输出的天下了。TLP116A和TLP118都是20M的速度。TLP117的速度**高，达到50M。不过就目前看来这个速度也是全****高的速度了。上次有朋友问我100M的光耦有吗？我笑笑告诉他，恐怕还在研发中。当然有一颗光耦TLP109我们不能忽略它，这颗光耦在变频器中的应用很广泛，速度1M。
以上的光耦以6脚封装居多，当然东芝也还有许多8脚封装的光耦，速度10M，15M都有。不过由于8脚封装的光耦用的人不多，整个市场不是很大，东芝的成本始终降不下来
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