价格:未填
品牌:ISOCOM
发货:3天内
信息标签:ISOCOM光耦IS204-1SM现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
点击这里进行电话呼叫
点击这里QQ咨询
联系时一定要说在【贸易商务资源网】看到的将给您优惠!如果您也想和该公司一样在网站发信息有好排名,点击立即免费注册,发布产品推广。
使用光电耦合器主要是为了提供输入电路和输出电路间的隔离,在设计电路时,必须遵循下列原则:所选用的光电耦合器件必须符合国际的有关隔离击穿电压的标准;由英国埃索柯姆(Isocom)公司、美国摩托罗拉公司生产的4N××系列(如4N25 、4N26、4N35)光耦合器,目前在国内应用地十分普遍。鉴于此类光耦合器呈现开关特性,其线性度差,适宜传输数字信号(高、低电平),可以用于单片机的输出隔离;所选用的光耦器件必须具有较高的耦合系数。
技术参数
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat)。此外,在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。
光耦中的电阻
半导体器件的PN结中总有结电容的存在,具有对电荷存储的作用,这使得器件的工作频率变低响应变慢。并接电阻,提供结电容的电荷泄放通路,可以提高响应速度,在输入高速开关量信号时,才可以看出此电阻的作用,能显着提高器件的反应速度。并接电阻应该还有另一个作用,即是将输入电路由“高阻态”变为“低阻态”,消解异常噪波,提高抗干扰能力。
ISOCOM光耦IS204-1SM现货技术参数价格资料
价格:1
产品种类: 晶体管输出光电耦合器
RoHS: 符合RoHS 详细信息
封装 / 箱体: DIP-4
输出类型: NPN Phototransistor
通道数量: 1 Channel
If - 正向电流: 50 mA
**集电极/发射极电压: 32 V
**集电极电流: 50 mA
绝缘电压: 8200 Vrms
**集电极/发射极饱和电压: 0.3 V
Vf - 正向电压: 1.6 V
Vr - 反向电压 : 5 V
Pd-功率耗散: 250 mW
**工作温度: + 85 C
**小工作温度: - 55 C
系列: CNY
封装: Tube
商标: Vishay Semico
nductors
集电极—射极击穿电压: 32 V
配置: 1 Channel
电流传递比: 50 % to 300 %
描述/功能: Optocoupler, Phototransistor Output, Very High Isolation Voltage
下降时间: 2.7 us
高度: 6 mm
长度: 12.8 mm
安装风格: Through Hole
上升时间: 2.4 us
工厂包装数量: 40
宽度: 7.2 mm
高速光耦可能是全****齐全的一条产品线了。300K的光耦主要是6N138和6N139。1M的光耦主要有6N135和6N136。不过无锡海明威电子研究发现按照现在的光耦技术水平来说,1M的光耦已经不能称之为高速光耦了。
现在的高速光耦以5M的产品**为丰富,当然其中包括正相输出和反相输出。这其中**代表性的就是TLP105和TLP108,一正一反,速度都是5M,封装也一模一样为MFSOP6。
然而再往上,似乎都是反转逻辑(反相)输出的天下了。TLP116A和TLP118都是20M的速度。TLP117的速度**高,达到50M。不过就目前看来这个速度也是全****高的速度了。上次有朋友问我100M的光耦有吗?我笑笑告诉他,恐怕还在研发中。当然有一颗光耦TLP109我们不能忽略它,这颗光耦在变频器中的应用很广泛,速度1M。
以上的光耦以6脚封装居多,当然东芝也还有许多8脚封装的光耦,速度10M,15M都有。不过由于8脚封装的光耦用的人不多,整个市场不是很大,东芝的成本始终降不下来
GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括:IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块,富士IGBT模块,三菱IGBT模块,IXYS,IGBT模块,以及其它工控元器件,电容传感器,熔断器,光耦,钽电容,继电器,防雷器,断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售,全新原装,质量保证!
联系人:吴小姐
咨询电话:0755-33556146
手机专线:15712055037
Email:Info@gongyes.com
更多产品信息请查看我司网站:http://www.gongyes.com
深圳办事处:深圳市龙华新区民治大道松花大厦702