价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块TM200GZ-M深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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作为新一代功率半导体器件,IGBT器件具有驱动容易、控制简单、开关频率高、导通电压低、通态电流大、损耗小等优点,是自动控制和功率变换的关键核心部件,被广泛应用在轨道交通装备行业、电力系统、工业变频、风电等产业中。在轨道交通领域,牵引传动系统是动车组、机车等装备的核心部件,而IGBT是牵引传动系统的核心部件。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率,提高用电质量,节电30%以上。IGBT器件产业分为IGBT芯片设计、芯片制造和IGBT器件封装三部分。其中芯片设计和制造又是**为**的环节,高端IGBT芯片的成本约占IGBT模块的50%左右。
保护功能
(1)外壳温度过热保护功能。该保护功能通过与功率芯片安装在同一陶瓷基板上的温度检测元件来检测绝缘基板温度,当检测温度连续超过保护标准约1ms以上时,会软关断IGBT。
(2)芯片温度过热保护功能。该功能将通过在全部IGBT芯片上的温度检测元件来检测IGBT芯片温度,当检测温度连续超过保护标准约1ms以上时,会软关断IGBT。
(3)警报输出功能。保护功能动作时,警报输出端子相对各基准电位GND导通,有能力以放开集电极输出,直接驱动光耦器,内置1.5KΩ的串联电阻。保护功能动作时,警报信号输出约持续2ms,当警报原因消除时,再经过2ms以上,而且输入信号为OFF的话,则警报解除。下桥臂各驱动电路的警报端子相互连接,所以任何一个IGBT一旦输出警报,则包括制动电路在内的下桥臂全部IGBT停止。
三菱IGBT模块TM200GZ-M深圳现货技术参数价格
价格:1
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Triple
集电极—发射极**电压 VCEO: 3300 V
在25 C的连续集电极电流: 1500 A
封装 / 箱体: IHVB190
**工作温度: + 150 C
高度: 38 mm
长度: 190 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 50 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 1
宽度: 140 mm
产品结构图
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