价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块TM250SA-6现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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是在前代的基础上引入沟槽栅,这是当前国外半导体厂商普遍采用的结构组合,栅极采用了沟槽技术,工作电流从N漂移区(基区)直接流进垂直沟道而进入源区,于是,这种IGBT的通态压降消除了JFET区域串联电阻的影响,优化了器件表面的载流子分布,改善了器件的导通特性和电流密度。高耐压、大电流、高速度、低压降、高可靠性、低成本是IGBT器件的发展趋势。经过三十年的持续奋斗,不断探索与创新,现代IGBT的参数折衷达到了极高的水平,已可能成为近20年中**有普及价值的电力电子主力器件。目前尚无其它大功率高频器件可以代替IGBT。
IGBT损坏的几大原因:
1,进水烧坏,用户在使用时不趁溢水
2,有蟑螂、昆虫等进入
3,滤波电容5UF失容
4,环境恶劣,油烟、潮气大,电路腐蚀漏电
5,谐振电容0.27--0.33UF开路
安装说明
在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,**在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。
三菱IGBT模块TM250SA-6现货技术参数价格资料
价格:1
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Hex
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 450 A
封装 / 箱体: Eco
noPP
**工作温度: + 150 C
高度: 17 mm
长度: 162 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 4
宽度: 150 mm
产品结构图
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