品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块TM200PZ-2H现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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三菱IGBT模块TM200PZ-2H现货技术参数价格资料
发布时间:2016-08-16 13:46:07 产品编号:GY-5-95274386 分享
价格:未填
品牌:三菱
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品牌:三菱
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信息标签:三菱IGBT模块TM200PZ-2H现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
正常IGBT的工作频率在10—20kHz，其开关速度比GTO、IGCT快得多。在交流电动机变频调速中，它是较好的选择。它在中小容量装置中淘汰功率双极晶体管（GTR）已成定论。IEGT在高电压领域中保持**开关特性。在20世纪末，采用特殊结构和特殊少子寿命控制（如质子注入加特殊退火工艺规范）的IGBT，在600—1200V电压水平下，使工作频率达到150kHz（硬开关）和300kHz（软开关），被称为霹雳型IGBT。它们将在开关电源中与功率MOSFET竞争，以其导通压降小，电流密度大，电压等级高，成本低等优点占有优势。今后十年的开关电源，也许这种IGBT的市场份额将会扩大。
优点：
1)直接降低关断瞬间浪 涌电压，波形平滑
2)吸收电路功耗低
3)适用于中功率场合
缺点：
1)对电容C和二极管的 反向恢复特性要求都较高
2)吸收电路存在较高电感
3)须注意RC时间常数设计
性能优势：
1.额定电流是 TC=80℃时的数值。
2.VCE（SAT）与温度成正比，易于并联。
3.开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当温度升高时，其开关损耗比PT-IGBT小。因此，P系列更适合高频应用。
4.1400V系列模块适合用于AC380~575V的功率变换设备。
5.P系列，尤其1400V系列比PT-IGBT有更大的安全工作区，RBSOA（反偏安全工作区）和SCSOA（短路安全工作区）都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大简化，同时，短路承受能力大大提高。
6.低损耗、软开关、dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。
产品结构图
优点：
1)直接降低关断瞬间浪 涌电压，波形平滑
2)吸收电路功耗低
3)适用于中功率场合
缺点：
1)对电容C和二极管的 反向恢复特性要求都较高
2)吸收电路存在较高电感
3)须注意RC时间常数设计
性能优势：
1.额定电流是 TC=80℃时的数值。
2.VCE（SAT）与温度成正比，易于并联。
3.开关损耗的温度系数比PT-IGBT小，当温度升高时，其开关损耗比PT-IGBT小。因此，P系列更适合高频应用。
4.1400V系列模块适合用于AC380~575V的功率变换设备。
5.P系列，尤其1400V系列比PT-IGBT有更大的安全工作区，RBSOA（反偏安全工作区）和SCSOA（短路安全工作区）都为矩形。其RBSOA可达额定电流的两倍，SCSOA可达额定电流的十倍。因此，吸收电路可大大简化，同时，短路承受能力大大提高。
6.低损耗、软开关、dv/dt只有普通模块的1/2，大大降低了EMI噪声。
三菱IGBT模块TM200PZ-2H现货技术参数价格资料
价格：1
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
在25 C的连续集电极电流: 2300 A
封装 / 箱体: IHM130
**工作温度: + 125 C
高度: 38 mm
长度: 140 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2
宽度: 130 mm
价格：1
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
在25 C的连续集电极电流: 2300 A
封装 / 箱体: IHM130
**工作温度: + 125 C
高度: 38 mm
长度: 140 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2
宽度: 130 mm
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