三菱IGBT模块CM50ADXX-12H深圳现货技术参数价格_供应

三菱IGBT模块CM50ADXX-12H深圳现货技术参数价格

发布时间:2016-08-16 13:43:42 产品编号:GY-5-95273957 分享

价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM50ADXX-12H深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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三菱IGBT模块CM50ADXX-12H是针对E3系列的进一步的开发优化，适用于变频器中达到了更高的效率。其发射极饱和电压(VCEsat)比E3系列减小了大约100mA，T3系列IGBT的关断损耗在额定工作条件下比E3系列减小了大约17%。且拥有更高的开关频率，减少了在较高的电流密度组合的损失。主要适用于变频器、焊机逆变器等。
检测注意事项
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时，一定要将万用　表拨在R×10KΩ挡，因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低，检测好坏时不能使IGBT 导通，而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
由于大功率模块的运行会导致模块发热，所以必须通过散热片来耗散掉这些能量，以至于模块温度不超过数据手册中指定的运行中**高温度（在开关状态中）的特定值。

IGBT保护方法，减小栅压
IGBT的短路电流和栅压有密切关系，栅压越高，短路时电流就越大。在短路或瞬态过流情况下若能在瞬间将vGS分步减少或斜坡减少，这样短路电流便会减小下来，当IGBT关断时，di/dt也减小。集成驱动电路如EXB841 或M579xx系列都有检测vCES电路，当发现欠饱和时，栅压箝位到10V左右，增大vCES，限制过电流幅值，延长允许过流时间。
逆变部分保护
逆变器为半桥式结构，串联谐振负载，驱动采用IR公司的IR2110 半桥驱动芯片。IR2110电路简单，成本低，适用于中大功率IGBT，实验结果也验证了IR2110驱动中大功率IGBT的可行性。IR2110芯片有一个封锁两路驱动的SD输入端，当此引脚为高电平时，立刻封锁两路输出。

三菱IGBT模块CM50ADXX-12H深圳现货技术参数价格
价格：1

产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
在25 C的连续集电极电流: 2400 A
封装 / 箱体: IHM130
**工作温度: + 125 C
高度: 38 mm
长度: 140 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2
宽度: 130 mm

产品结构图

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