价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块PM800HSA060深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  采用MOS技术的SEMITRANS粉末冶金低损IGBT模块，其采用大电流密度设计，降低器件功耗；多圆片叠加，反复偶数次电子束照射。经多次换面，实现圆片内部高复合中心均匀分布，降低载流子寿命，实现高频场控。目前主要应用于工业控制、消费电子产品、汽车电子市场、计算机和网络通信、军事和国防等多个领域。

  在应用中有时虽然保证了栅极驱动电压没有超过栅极**额定电压，但栅极连线的寄生电感和栅极与集电极间的电容耦合，也会产生使氧化层损坏的振荡电压。为此，通常采用双绞线来传送驱动信号，以减少寄生电感。在栅极连线中串联小电阻也可以抑制振荡电压。
此外，在栅极—发射极间开路时，若在集电极与发射极间加上电压，则随着集电极电位的变化，由于集电极有漏电流流过，栅极电位升高，集电极则有电流流过。这时，如果集电极与发射极间存在高电压，则有可能使IGBT发热及至损坏。
在使用IGBT的场合，当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态)，若在主回路上加上电压，则IGBT就会损坏，为防止此类故障，应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。

IGBT并联应用要点：
为每一个IGBT选用独立的Rg和Re，驱动电路输出阻抗相同，主电路配线阻抗相同，但是避免大的环路，选用同一型号、饱和电压同一等级的模块并联
考虑电流降额系数；
模块安装在同一散热器上面，以保持温度相同。

产品结构图

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