价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块PS11033现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  采用MOS技术的SEMITRANS粉末冶金低损IGBT模块，其采用大电流密度设计，降低器件功耗；多圆片叠加，反复偶数次电子束照射。经多次换面，实现圆片内部高复合中心均匀分布，降低载流子寿命，实现高频场控。目前主要应用于工业控制、消费电子产品、汽车电子市场、计算机和网络通信、军事和国防等多个领域。
  通过消除IGBT固有的关断拖尾电流特性，大大提高了开关能效与**开关频率。裸片非常薄，这有助于提高开关和散热性能。优化的沟栅式（trench-gate）场截止型（field-stop）工艺降低了热阻，**高结温高达175°C，同时实现了对饱和电压等参数的严格控制，允许多个IGBT安全并联，提高电流密度和通态能效。 结构和特性都很非常稳定，具有很高的Dv/dt耐压能力。与IGBT封装在一起的超高速软恢复（soft-recovery）二极管可**限度降低导通能耗。

  结构优势
  模块的沟道结构场截止沟道技术利用沟道栅结构和高度掺杂n+缓冲层获得沟道穿通特性。借助这些功能，此新的IGBT技术实现了比上一代技术更高的单元密度。因此，在给定硅面积下它具有低得多的通态压降。新场截止沟道IGBT的电流密度是之前场截止平面技术的两倍以上。

  因为较高的阻断电压和较小的尺寸导致Vce(sat)增加。此低Vce(sat)是新场截止沟道IGBT的主要优势。场截止沟道技术还减少了每转换周期的关断能耗，如图1所示。此增强的权衡特性使逆变器设计能够满足较高系统效率的市场需求。尽管硅面积减小，新场截止沟道IGBT在因热失控出现故障之前提供5us短路耐受时间，这是上一代IGBT无法提供的。新场截止沟道IGBT也有较低的关断状态漏电流，**结温为175℃。

产品结构图

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