三菱IGBT模块PM75RSE060深圳现货技术参数价格
发布时间:2016-08-16 11:32:41 产品编号:GY-5-95250296 分享
价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块PM75RSE060深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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新一代软穿通型1200V IGBT模块,非常适用于20kHZ的工作环境,如变频器应用、不间断电源应用、焊接机应用等领域。SEMiX101GD128Ds除了极低的静态和动态损耗外,还表现为明显的正温度系数。这一特点适用于并联工作状态,尤其适合如e1/e2类型这样的大电流模块。尽管它的损耗较低,但它的短路电流和开关强度均较大,而且,独特的软穿通结构的电磁干扰很小。spt技术发展的同时,新的软**恢复二极管也被开发用于辅助spt的特性。
在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,**在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。
产品保管注意事项
1. 一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
5. 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。
6. 检测IGBT模块的的办法。
三菱IGBT模块PM75RSE060深圳现货技术参数价格
价格:1
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 365 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 940 W
封装 / 箱体: 62 mm
**工作温度: + 150 C
封装: Tray
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
产品结构图
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