价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块PM1200HCE330深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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IGBT构建和连接技术之所以不断发展,一方面源于生产和加工模块的成本控制措施,另一方面是出于对模块性能不断增长的需求。这包含对半导体静态负载和短期负载的**散热。功率模块通过高效冷却能得到有效利用,高效冷却是获得大功率及**成本半导体的"必要条件"。因此IGBT和二极管芯片的容许温度一代比一代高,而芯片很高的运行温度和高效的散热能力又提高了对模块设计的温度及功率循环能力要求。这就要求不断开发新型构建和连接技术。
判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。
判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT 被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。
检测注意事项
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用 表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。
由于大功率模块的运行会导致模块发热,所以必须通过散热片来耗散掉这些能量,以至于模块温度不超过数据手册中指定的运行中**高温度(在开关状态中)的特定值。
三菱IGBT模块PM1200HCE330深圳现货技术参数价格
价格:1
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual Common Emitter Common Gate
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2.6 V
在25 C的连续集电极电流: 2600 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 12.5 kW
封装 / 箱体: IHM
**工作温度: + 125 C
封装: Bulk
高度: 38 mm
长度: 140 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 2
宽度: 130 mm
产品结构图
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