在中低功率范围能发挥很大作用，这些范围内要求高度的集成水平。它是一款绝缘模块，不需要底板，只需要一个中心安装螺钉。低电感方案、超灵活设计、**的硅和碳化硅芯片技术，这些都使得该产品拥有广阔的市场，例如UPS、太阳能、电机驱动和焊接。模块采用的是SPT技术使模块的性能得到了很大的提升。
通过消除IGBT固有的关断拖尾电流特性，大大提高了开关能效与**开关频率。裸片非常薄，这有助于提高开关和散热性能。优化的沟栅式（trench-gate）场截止型（field-stop）工艺降低了热阻，**高结温高达175°C，同时实现了对饱和电压等参数的严格控制，允许多个IGBT安全并联，提高电流密度和通态能效。 结构和特性都很非常稳定，具有很高的Dv/dt耐压能力。与IGBT封装在一起的超高速软恢复（soft-recovery）二极管可**限度降低导通能耗。

驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，对IGBT驱动电路的基本要求如下：
（1） 提供适当的正向和反向输出电压，使IGBT可靠的开通和关断。
（2） 提供足够大的瞬态功率或瞬时电流，使IGBT能迅速建立栅控电场而导通。
（3） 尽可能小的输入输出延迟时间，以提高工作效率。
（4） 足够高的输入输出电气隔离性能，使信号电路与栅极驱动电路绝缘。
（5） 具有灵敏的过流保护能力。

  IGBT结构仍与原始组装方法密切相关。一个或多个陶瓷板DCB（直接铜绑定Direct Copper Bond）焊接到铜底板上， 铜底板也是散热器的安装表面。DCB包含一个两侧喷涂有铜的Al2O3或AlN薄绝缘基板。
  芯片的底面焊接到DCB顶部（IGBT：集电极，二极管：通常为阴极）。平行的铝绑定线将芯片顶部（IGBT：栅极和发射极，二极管：阳极）连接到DCB基板相应的衬垫上。有的模块端子直接焊接到这些衬垫上，也有很多端子采用焊接连接或绑定连接机械固定在模块外壳中。

产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual Dual Collector Dual Emitter
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
在25 C的连续集电极电流: 900 A
封装 / 箱体: IHM130
**工作温度: + 125 C
高度: 38 mm
长度: 140 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: SMD/SMT
工厂包装数量: 2
宽度: 130 mm
产品结构图

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