价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块PM100DSA-24H深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  采用MOS技术的两单元半桥结构模块，属于赛米控第二代高密度NPT型IGBT产品，采用烧结技术连接的IGBT能大幅度提升整流器的循环能力和**高结温，功率部分连接中焊接的消除使得热膨胀系数不同的材料结合在一起，而不引起材料疲劳。是第二代IGBT模块中的代表，已经广泛运用到变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
  因为较高的阻断电压和较小的尺寸导致Vce(sat)增加。此低Vce(sat)是新场截止沟道IGBT的主要优势。场截止沟道技术还减少了每转换周期的关断能耗，如图1所示。此增强的权衡特性使逆变器设计能够满足较高系统效率的市场需求。尽管硅面积减小，新场截止沟道IGBT在因热失控出现故障之前提供5us短路耐受时间，这是上一代IGBT无法提供的。新场截止沟道IGBT也有较低的关断状态漏电流，**结温为175℃。

  结构优势
  模块的沟道结构场截止沟道技术利用沟道栅结构和高度掺杂n+缓冲层获得沟道穿通特性。借助这些功能，此新的IGBT技术实现了比上一代技术更高的单元密度。因此，在给定硅面积下它具有低得多的通态压降。新场截止沟道IGBT的电流密度是之前场截止平面技术的两倍以上。

产品结构图

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