新一代的薄晶圆IGBT绝缘栅双极型晶体管，此类IGBT 专门针对 50Hz 至20kHz 的低开关频率范围进行了优化。这个范围的开关频率常见于不间断电源 （UPS） 以及光伏逆变器和逆变焊机中。新 L5 系列基于薄晶片技术，使本来就很低的导通损耗因为载流子结构的优化得到了进一步降低。自从2012年秋季推出以来，已经获得了巨大的市场关注，它被认为是一种革新的技术。如今已有400多家客户收到样品，英飞凌于2013年5月开始量产，很多客户也将开始试产。
  与高压**和软恢复SPT二极管一起使用，共同构成有很大优势的SPT-IGBTs。高压二极管有一个高掺杂的P+阳极，与低浓度P型阳极二极管相比， SOA特性更好，更加耐用。这是因为二极管在反向恢复期间，在极端的动态雪崩条件下减少了穿通效应。高掺杂的P+二极管反向恢复时减少了阳极周边的强电场和电流密度，使pn结更耐用。为了控制恢复过程和达到高的SOA，通过局部与整体的载流子寿命控制相结合的方法，适当的分布了电子-空穴等离子浓度。**终，在大的电流模块中，并联芯片的均流很好，在通态电压下降时保证了IGBT和二极管的正的温度系数。

工作原理
  模块是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，
   当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流ic1=β1ib1=β1β2ib2。这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
   由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。