三菱IGBT模块CM50DY-12H深圳现货技术参数价格_供应

三菱IGBT模块CM50DY-12H深圳现货技术参数价格

发布时间:2016-08-16 11:15:43 产品编号:GY-5-95246024 分享

价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM50DY-12H深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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具有出众的效率，与英飞凌的HighSpeed （H3）系列相比，关断损耗降低60%，与开通损耗密切相关的饱和压降也具有正温度系数。与H3相比，其栅极充电小2.5 倍，更易于驱动，因此可使用较小的驱动器以降低成本。此外，采用的**二极管，其正向导通压降受温度影响小，其反向恢复时间少于50ns。低输出电容提供了出色的轻载效率，极其适合于以**额定功率40% 以下的运行为主的应用设计。

直通保护电路必须有非常快的速度，在一般情况下，如果IGBT的额定参数选择合理，10μs之内的过流就不会损坏器件，所以必须在这个时间内关断IGBT. 母线电流检测用霍尔传感器，响应速度快，是短路保护检测的**选择。比较器用LM319，检测值与设定值比较，一旦超过，马上输出保护信号封锁驱动。同时用触发器构成记忆锁定保护电路，以避免保护电路在过流时的频繁动作。外接的复位电路也不可缺少。

对于导热剂与散热器表面的建议
对于模块基板与散热片的各自表平面，在两个啮合面之间有一个固有的气隙。为了驱散掉模块中功率损耗并在芯片与散热器之间有一个高效的热通道。这些气隙或者凹处就必须用导热剂填充。**的涂层厚度为取代所有的空气，但不能阻止基板与散热器之间的金属-金属接触面。

三菱IGBT模块CM50DY-12H深圳现货技术参数价格
价格：1

产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
在25 C的连续集电极电流: 800 A
封装 / 箱体: 62 mm
**工作温度: + 125 C
高度: 36.5 mm
长度: 106.4 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
宽度: 61.4 mm

产品结构图

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