电子元器件及组件
三菱IGBT模块PM150CLS120深圳现货技术参数价格
发布时间:2016-08-16 11:08:25 产品编号:GY-5-95244072  分享
价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块PM150CLS120深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  耗损IGBT模块大限度降低电机控制电路的两大能耗源,降低家电、供暖通风空调(HVAC)系统、工业机床等日用设备对环境的影响。该产品节能降耗,并全面提升能效。更低的开关损耗意味着更高的开关频率,更高的开关速度意味着在功率控制电路中可以使用更小的更低廉的元器件。此外,紧凑的工业标准TO-247封装内还集成了大多数电路所需的超高速续流二极管,减少了外部元器件的数量。

判断极性
首先将万用表拨在R×1KΩ挡,用万用表测量时,若某一极与其它两极阻值为无穷大,调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大,则判断此极为栅极(G )其余两极再用万用表测量,若测得阻值为无穷大,调换表笔后测量阻值较小。在测量阻值较小的一次中,则判断红表笔接的为集电极(C);黑表笔接的为发射极(E)。

判断好坏
将万用表拨在R×10KΩ挡,用黑表笔接IGBT 的集电极(C),红表笔接IGBT 的发射极(E),此时万用表的指针在零位。用手指同时触及一下栅极(G)和集电极(C),这时IGBT 被触发导通,万用表的指针摆向阻值较小的方向,并能站住指示在某一位置。然后再用手指同时触及一下栅极(G)和发射极(E),这时IGBT 被阻断,万用表的指针回零。此时即可判断IGBT 是好的。

检测注意事项
任何指针式万用表皆可用于检测IGBT。注意判断IGBT 好坏时,一定要将万用 表拨在R×10KΩ挡,因R×1KΩ挡以下各档万用表内部电池电压太低,检测好坏时不能使IGBT 导通,而无法判断IGBT 的好坏。此方法同样也可以用于检测功率场效应晶体管(P-MOSFET)的好坏。

  产品结构
  **典型的代表是后缀为“DN2”系列。如 BSM200GB120DN2。 “DN2”系列**适用频率为 15KHz-20KHz,饱和压降 VCE(sat)=2.5V。“DN2”系列几乎适 用于所有的应用领域。西门子在“DN2”系列的基础上通过优化工艺,开发出“DLC”系列。 “ DLC ” 系 列 是 低 饱 和 压 降 , ( VCE(sat)=2.1V ) , ** 佳 开 关 频 率 范 围 为 1KHz - 8KHz 。 “DLC”系列是适用于变频器等频率较低的应用场合。后来 Infineon/EUPEC 又推出短拖尾 电流、高频“KS4”系列。“KS4”系列是在“DN2”的基础上,开关频率得到进一步提高, **使用开关频率为 15KHz-30KHz。**适合于逆变焊机,UPS,通信电源,开关电源,感应 加热等开关频率比较高(fK≥20KHz)的应用场合。在这些应用领域,将逐步取代“DN2”系 列。EUPEC 用“KS4”芯片开发出 H—桥(四单元)IGBT 模块,其特征是内部封装电感低, 成本低,可直接焊在 PCB 版上(注:这种结构在变频器应用中早已成熟,并大量使用)。总 之,EUPEC IGBT 模块中“DN2”、“DLC”、“KS4”采用 NPT 工艺,平面栅结构,是第二 代 NPT-IGBT。

三菱IGBT模块PM150CLS120深圳现货技术参数价格
价格:1
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.05 V
在25 C的连续集电极电流: 900 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 5.1 kW
**工作温度: + 150 C
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 3
产品参数图
产品结构图
产品结构图
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