价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块PM25RLA120现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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与高压**和软恢复SPT二极管一起使用,共同构成有很大优势的SPT-IGBTs。高压二极管有一个高掺杂的P+阳极,与低浓度P型阳极二极管相比, SOA特性更好,更加耐用。这是因为二极管在反向恢复期间,在极端的动态雪崩条件下减少了穿通效应。高掺杂的P+二极管反向恢复时减少了阳极周边的强电场和电流密度,使pn结更耐用。为了控制恢复过程和达到高的SOA,通过局部与整体的载流子寿命控制相结合的方法,适当的分布了电子-空穴等离子浓度。**终,在大的电流模块中,并联芯片的均流很好,在通态电压下降时保证了IGBT和二极管的正的温度系数。
IGBT保护方法,封锁驱动信号
在逆变电源的负载过大或输出短路的情况下,通过逆变桥输入直流母线上的电流传感器进行检测。当检测电流值超过设定的阈值时,保护动作封锁所有桥臂的驱动信号。这种保护方法**直接,但吸收电路和箝位电路必须经特别设计,使其适用于短路情况。这种方法的缺点是会造成IGBT关断时承受应力过大,特别是在关断感性超大电流时,必须注意擎住效应。
三菱IGBT模块PM25RLA120现货技术参数价格资料
价格:1
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2.45 V
在25 C的连续集电极电流: 930 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 4.15 kW
封装 / 箱体: PRIME2
**工作温度: + 150 C
高度: 38 mm
长度: 172 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 3
宽度: 89 mm
产品结构图
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