IGBT沟槽栅(Trench Gate) 在平面栅工艺中，电流流向与表面平行时，电流必须通过栅极下面的 p 阱区围起来的一个 结型场效应管（JFET），它成为电流通道的一个串连电阻，在沟槽栅结构中，这个栅下面的 JFET 通过干法刻蚀工艺消除了，因此形成了垂直于硅片表面的反型沟道。这样 IGBT 通态压降 中剔除了 JFET 这部分串联电阻的贡献，通态压降可大大降低。Infineon／EUPEC 1200V IGBT3 饱和压降 VCE(sat)＝1.7V。电场终止层（Field Stop）技术是吸收了 PT、NPT 两类器件的优点。 在 FS 层中其掺杂浓度比 PT 结构中的 n＋缓冲层掺杂浓度低，但比基区 n—层浓度高，因此基区 可以明显减薄（可以减薄 1/3 左右），还能保证饱和压降具有正温度系数。由于仍然是在区熔 单晶硅中（没有外延）制作 FS 层，需进行离子双注入，又要确保饱和压降的正温度系数，工 艺难度较大。

模块到散热器的安装
为了避免基板的不必要的拉伸和张力，散热器必须保证硬度并避免在安装和运输过程中的变形。 所有的安装螺钉都必须按照统一的特定的扭矩。使用电子控制的或者至少低速电子螺丝刀可以确保这个扭矩。这个工作也可以通过定扭矩扳手来手工完成。考虑到精度问题，我们建议**不要使用气动螺丝刀。
为了使导热剂均匀发布，确保散热器的接触点控制。我们建议在涂覆导热剂和模块定位到散热器上以后，按照以下步骤来拧紧172×89模块上的10个螺丝（或者250×89模块上的14个螺丝）： 1. 通过对角线上的螺丝慢慢固定模块。例如PrimePack2上的螺丝7—8（PrimePack2上的螺丝11—12），用手缓慢按压模块并轻轻转动来分布导热剂。 2. 3. 按照6Nm±10%的扭力拧紧螺丝，如图7所示：PrimePack2的1-10和PrimePack3的1-14，按照途中数字顺序拧紧。 如果利用高粘度的导热剂，我们建议在1步与2步之间加入一步1.a： 1.a 按照之前相同的方向以2Nm±15%的扭力拧紧螺丝，通过附加的这一步骤，可以是导热剂能更好的分布开并填满空隙。 4.母线排与模块功率端子的连接 集电极的功率端子与发射极的功率端子一样，需要与母线排有很好的电接触和热接触。母线排的接触面一定要标准，才能避免模块上另外的发热。 母线排必须按照下面的方法来连接到功率端子，在装配过程中这些力都不能超过图8所示的值。