价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM50E3Y-24H深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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采用了软穿通技术,与前代相比大大的减少了整体元件的损耗,使IGBT和二极管达到很好的静态和动态特性。 产品还增加了一个深的、低掺杂的SPT缓冲层,使元件与NPT结构设计相比,总厚度减薄了20%。SPT缓冲层能确保像这样的元件维持软关断的特性。大功率、高电压电路不可避免的有很大的寄生电感,它将在元件关断的时候引起电压尖峰和大的振荡,并诱发电磁干扰(EMI)。
在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,**在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作 。
工作原理
功率MOSFET的种类:按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道增强型。
截止:漏源极间加正电源,栅源极间电压为零。P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏,漏源极之间无电流流过。
导电:在栅源极间加正电压UGS,栅极是绝缘的,所以不会有栅极电流流过。但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开,而将P区中的少子—电子吸引到栅极下面的P区表面。
当UGS大于UT(开启电压或阈值电压)时,栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度,使P型半导体反型成N型而成为反型层,该反型层形成N沟道而使PN结J1消失,漏极和源极导电。
三菱IGBT模块CM50E3Y-24H深圳现货技术参数价格
价格:1
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2.6 V
在25 C的连续集电极电流: 1300 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 6.25 W
封装 / 箱体: IHM
**工作温度: + 125 C
高度: 38 mm
长度: 140 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 2
宽度: 130 mm
产品结构图
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