品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块TM90DZ-24深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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三菱IGBT模块TM90DZ-24深圳现货技术参数价格
发布时间:2016-08-16 10:53:15 产品编号:GY-5-95239839 分享
价格:未填
品牌:三菱
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采用热门的减压Boost电路的拓扑结构，模块采用氧化铝隔离安装简易，整体占用空间不大。自模块问世以来，已经在稳压器、功率因数控制和降压系统、直流伺服和机器人驱动器、直流斩波器、开关磁阻电机控制等多个领域运用。
IGBT的正面MOS结构包括栅极与发射极区。栅极结构有平面栅与沟槽栅两种。平面栅结构具有较好的栅氧化层质量，其栅电容较小，并且不会在栅极下方处造成电场集中而影响耐压，在高压IGBT(3300V及以上电压等级)中被普遍采用。平面栅结构经过优化改进，可以进一步降低栅电容同时改进其他的工作特性，如降低栅存储时间，降低开关损耗，还能减小短路安全工作区(SCSOA)测试中的栅电压过冲。而沟槽栅结构将沟道从横向变为纵向，消除了导通电阻中RJFET的影响，还可以提高元胞密度，从而有利于降低功耗[17]，因此被广泛应用于中低压(1700V及以下电压等级)产品中，但是沟槽刻蚀后表面粗糙，会影响载流子迁移率及造成电场集中，影响击穿电压，而且多晶硅栅面积增加，使栅电容增大，此外，由于电流密度增大导致其短路能力降低。为了减小栅电容并降低短路电流，需要对元胞结构进行优化设计。
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 285 W
**工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
产品结构图
GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！
联系人：吴小姐
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深圳办事处：深圳市龙华新区民治大道松花大厦702
IGBT的正面MOS结构包括栅极与发射极区。栅极结构有平面栅与沟槽栅两种。平面栅结构具有较好的栅氧化层质量，其栅电容较小，并且不会在栅极下方处造成电场集中而影响耐压，在高压IGBT(3300V及以上电压等级)中被普遍采用。平面栅结构经过优化改进，可以进一步降低栅电容同时改进其他的工作特性，如降低栅存储时间，降低开关损耗，还能减小短路安全工作区(SCSOA)测试中的栅电压过冲。而沟槽栅结构将沟道从横向变为纵向，消除了导通电阻中RJFET的影响，还可以提高元胞密度，从而有利于降低功耗[17]，因此被广泛应用于中低压(1700V及以下电压等级)产品中，但是沟槽刻蚀后表面粗糙，会影响载流子迁移率及造成电场集中，影响击穿电压，而且多晶硅栅面积增加，使栅电容增大，此外，由于电流密度增大导致其短路能力降低。为了减小栅电容并降低短路电流，需要对元胞结构进行优化设计。
三菱IGBT模块TM90DZ-24深圳现货技术参数价格
价格：1
产品种类: IGBT 模块 价格：1
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 50 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 285 W
**工作温度: + 150 C
商标: Infineon Technologies
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
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