三菱IGBT模块TM200DZ-24深圳现货技术参数价格
发布时间:2016-08-16 10:27:04 产品编号:GY-5-95232833 分享
价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块TM200DZ-24深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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新一代软穿通型1200V IGBT模块,非常适用于20kHZ的工作环境,如变频器应用、不间断电源应用、焊接机应用等领域。SEMiX101GD128Ds除了极低的静态和动态损耗外,还表现为明显的正温度系数。这一特点适用于并联工作状态,尤其适合如e1/e2类型这样的大电流模块。尽管它的损耗较低,但它的短路电流和开关强度均较大,而且,独特的软穿通结构的电磁干扰很小。spt技术发展的同时,新的软**恢复二极管也被开发用于辅助spt的特性。
芯片与高压**和软恢复SPT二极管一起使用,共同构成有很大优势的SPT-IGBTs。高压二极管有一个高掺杂的P+阳极,与低浓度P型阳极二极管相比, SOA特性更好,更加耐用。这是因为二极管在反向恢复期间,在极端的动态雪崩条件下减少了穿通效应。高掺杂的P+二极管反向恢复时减少了阳极周边的强电场和电流密度,使pn结更耐用。为了控制恢复过程和达到高的SOA,通过局部与整体的载流子寿命控制相结合的方法,适当的分布了电子-空穴等离子浓度。**终,在大的电流模块中,并联芯片的均流很好,在通态电压下降时保证了IGBT和二极管的正的温度系数。
三菱IGBT模块TM200DZ-24深圳现货技术参数价格
价格:1
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 650 V
集电极—射极饱和电压: 1.95 V
在25 C的连续集电极电流: 700 A
栅极—射极漏泄电流: 100 nA
Pd-功率耗散: 1800 W
**工作温度: + 150 C
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 6
产品结构图
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