价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块TM400PZ-2H现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  一旦运用了生命期控制技术，即使处通常的导通状态，由于该技术所产生的效果（载流子的输送效率下降），出现了通态电压增加的问题，而过载流子的更进一步高注入化可以解决这个问题。总之，使用外延片技术的IGBT的基本设计理念可以用“高注入、低输送效率”简单扼要地概括出来。相对而言，使用FZ晶片的IGBT（第四代1200V以后的系列）采用了抑制来自集电极侧载流子的注入，并通过降低注入效率来提高输送效率的逆向基本设计。在前面所述的使用外延片的IGBT的设计。

  加了一个深的、低掺杂的SPT缓冲层，使元件与NPT结构设计相比，总厚度减薄了20%。SPT缓冲层能确保像这样的元件维持软关断的特性。当芯片使用在大电流模块中这是必须的。大功率、高电压电路不可避免的有很大的寄生电感，它将在元件关断的时候引起电压尖峰和大的振荡，并诱发电磁干扰(EMI)。SPT除了这些明显的优点外，还表明SPT技术可以使IGBT和二极管的SOA均有大的增加。HV-IGBT的设计平台利用一个**的、极为可靠的平面单元设计，防止了闩锁效应，使SOA增加。SPT IGBT的输入电容设计可以提供对开通di/dt很好的控制，di/dt是门极电阻的函数，在门极-发射极端不需要额外的电容。这一点使IGBT的通态电压延迟更短，其开通损耗大大的降低。

产品结构图

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