三菱IGBT模块TM55DZ-2H深圳现货技术参数价格_供应

三菱IGBT模块TM55DZ-2H深圳现货技术参数价格

发布时间:2016-08-16 10:21:17 产品编号:GY-5-95231149 分享

价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块TM55DZ-2H深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。

产品体系建立在高可靠应用方面(如牵引)耐用的新基准上。其具有很强的耐用性说明了其有更高的安全工作区和在关断时低的门极驱动电阻。反过来，允许更低的关断损耗。利用SPT(软穿通)芯片技术，该模块的开关过程更平滑，使得用户设计使用时更加自由，不必过分考虑在关断时的dv/dt或尖峰电压限制。这款模块也是变频器**常用的模块之一。
与传统同级别可用的模块相比，有双重的优点：首先，系统可以有更大的安全工作区。其次，产品提供了新的范围更大的参数限定。为了使IGBT和二极管达到很好的静态和动态特性，**的IGBT和二极管技术采用了软穿通的概念。这种方法与从前的技术相比，大大的减少了整体元件的损耗。

三菱IGBT模块TM55DZ-2H深圳现货技术参数价格
价格：1

产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.1 V
在25 C的连续集电极电流: 900 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 5.1 kW
封装 / 箱体: PRIME2
**工作温度: + 150 C
高度: 38 mm
长度: 172 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 3
宽度: 89 mm

产品结构图

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