价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块TM55EZ-24深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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IGBT构建和连接技术之所以不断发展,一方面源于生产和加工模块的成本控制措施,另一方面是出于对模块性能不断增长的需求。这包含对半导体静态负载和短期负载的**散热。功率模块通过高效冷却能得到有效利用,高效冷却是获得大功率及**成本半导体的"必要条件"。因此IGBT和二极管芯片的容许温度一代比一代高,而芯片很高的运行温度和高效的散热能力又提高了对模块设计的温度及功率循环能力要求。这就要求不断开发新型构建和连接技术。
三菱IGBT模块CM1400DU-24NF深圳现货技术参数价格
价格:1
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.15 V
在25 C的连续集电极电流: 580 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2000 W
封装 / 箱体: 62 mm
**工作温度: + 125 C
高度: 30.9 mm
长度: 106.4 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10
宽度: 61.4 mm
产品结构图
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