三菱IGBT模块CM50TU-24H深圳现货技术参数价格_供应

三菱IGBT模块CM50TU-24H深圳现货技术参数价格

发布时间:2016-08-15 19:01:45 产品编号:GY-5-95156718 分享

价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM50TU-24H深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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随着电力电子器件制造技术的发展，高性能、大容量的绝缘栅双极晶体管(IGBT)因其具有电压型控制、输入阻抗大、驱动功率小、开关损耗低及工作频率高等特点，而越来越多地应用到工作频率为几十kHz以下，输出功率从几kW到几百kW的各类电力变换装置中。IGBT逆变器中**的环节就是高性能的过流保护电路的设计。专用驱动模块都带有过流保护功能。一些分立的驱动电路也带有过电流保护功能。在工业应用中，一般都是利用这些瞬时过电流保护信号，通过触发器时序逻辑电路的记忆功能，构成记忆锁定保护电路，以避免保护电路在过流时的频繁动作，实现可取的过流保护。本文分析了大功率可控整流电压型逆变器中封锁驱动及整流拉逆变式双重保护电路结构。

芯片主要优点
IGBT 模块中 IGBT 及续流二极管芯片特征参数
IGBT 模块全部采用西门子／Infineon IGBT 芯片，从型号中的后缀来区分，用户应根据不同的开关频率范围来选用相应的 IGBT 模块。
IGBT 模块芯片特征参数
注：① 600V“DLC”和“KE3”是高频器件，可工作在 20KHz；
② “KE3”**高结温可达 175℃。

三菱IGBT模块CM50TU-24H深圳现货技术参数价格
价格：1

产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Single
集电极—发射极**电压 VCEO: 1.2 kV
集电极—射极饱和电压: 1.75 V
在25 C的连续集电极电流: 400 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 2400 W
封装 / 箱体: Module
**工作温度: + 150 C
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 10

产品结构图

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