三菱IGBT模块CM1200HA-66H现货技术参数价格资料
发布时间:2016-08-15 18:28:31 产品编号:GY-5-95153924 分享
价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM1200HA-66H现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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针对新型应用市场如机器人及电动机的速度控制等发布的穿通型IGBT,该系列在传统的IGBT直流斩波器应用、不间断电源应用、开关模式和谐振模式电源应用、焊接机应用表现依旧不俗,自开发以来,已经在各领域占据了重要的市场份额。
特征
•高电流能力
•低饱和电压VCE(SAT):= 1.9 V(典型值。)@ IC = 40
•高输入阻抗
•**切换
•符合RoHS
应用
•UPS,电焊机,PFC
使用创新的场终止沟槽IGBT技术,场终止沟槽IGBT新系列提供**的性能
硬开关应用,如UPS,焊机 PFC的应用。
产品保管注意事项
1. 一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿;
2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合;
3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方;
4. 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物;
5. 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。
6. 检测IGBT模块的的办法。
三菱IGBT模块CM1200HA-66H现货技术参数价格资料
价格:1
产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
集电极—发射极**电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.05 V
在25 C的连续集电极电流: 900 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 5.1 kW
**工作温度: + 150 C
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 3
产品结构图
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