品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM100TU-12H深圳现货技术参数价格,供应,电子、电工,电子元器件及组件
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三菱IGBT模块CM100TU-12H深圳现货技术参数价格
发布时间:2016-08-15 18:17:26 产品编号:GY-5-95152893 分享
价格:未填
品牌:三菱
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具有出众的效率，与英飞凌的HighSpeed （H3） 系列相比，关断损耗降低60%，与开通损耗密切相关的饱和压降也具有正温度系数。与H3相比，其栅极充电小2.5 倍，更易于驱动，因此可使用较小的驱动器以降低成本。此外，采用的**二极管，其正向导通压降受温度影响小，其反向恢复时间少于50ns。低输出电容提供了出色的轻载效率，极其适合于以**额定功率40% 以下的运行为主的应用设计。
IGBT沟槽栅(Trench Gate) 在平面栅工艺中，电流流向与表面平行时，电流必须通过栅极下面的 p 阱区围起来的一个 结型场效应管（JFET），它成为电流通道的一个串连电阻，在沟槽栅结构中，这个栅下面的 JFET 通过干法刻蚀工艺消除了，因此形成了垂直于硅片表面的反型沟道。这样 IGBT 通态压降 中剔除了 JFET 这部分串联电阻的贡献，通态压降可大大降低。Infineon／EUPEC 1200V IGBT3 饱和压降 VCE(sat)＝1.7V。电场终止层（Field Stop）技术是吸收了 PT、NPT 两类器件的优点。 在 FS 层中其掺杂浓度比 PT 结构中的 n＋缓冲层掺杂浓度低，但比基区 n—层浓度高，因此基区 可以明显减薄（可以减薄 1/3 左右），还能保证饱和压降具有正温度系数。由于仍然是在区熔 单晶硅中（没有外延）制作 FS 层，需进行离子双注入，又要确保饱和压降的正温度系数，工 艺难度较大。
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2.6 V
在25 C的连续集电极电流: 1300 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 6.25 W
封装 / 箱体: IHM
**工作温度: + 125 C
高度: 38 mm
长度: 140 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 2
宽度: 130 mm
产品结构图
GongYES工业思是专业电子零件销售平台。专业代销各种电子元器件产品包括：IGBT、电流传感器、熔断器、专业代理经销英飞凌IGBT模块，富士IGBT模块，三菱IGBT模块,IXYS，IGBT模块，以及其它工控元器件，电容传感器，熔断器，光耦，钽电容，继电器，防雷器，断路器接触器等国际品牌电子元器件。全国销售，全新原装，质量保证！
联系人：吴小姐
咨询电话：0755-33556146
手机专线：15712055037
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深圳办事处：深圳市龙华新区民治大道松花大厦702
IGBT沟槽栅(Trench Gate) 在平面栅工艺中，电流流向与表面平行时，电流必须通过栅极下面的 p 阱区围起来的一个 结型场效应管（JFET），它成为电流通道的一个串连电阻，在沟槽栅结构中，这个栅下面的 JFET 通过干法刻蚀工艺消除了，因此形成了垂直于硅片表面的反型沟道。这样 IGBT 通态压降 中剔除了 JFET 这部分串联电阻的贡献，通态压降可大大降低。Infineon／EUPEC 1200V IGBT3 饱和压降 VCE(sat)＝1.7V。电场终止层（Field Stop）技术是吸收了 PT、NPT 两类器件的优点。 在 FS 层中其掺杂浓度比 PT 结构中的 n＋缓冲层掺杂浓度低，但比基区 n—层浓度高，因此基区 可以明显减薄（可以减薄 1/3 左右），还能保证饱和压降具有正温度系数。由于仍然是在区熔 单晶硅中（没有外延）制作 FS 层，需进行离子双注入，又要确保饱和压降的正温度系数，工 艺难度较大。
三菱IGBT模块CM100TU-12H深圳现货技术参数价格
价格：1
产品种类: IGBT 模块 价格：1
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2.6 V
在25 C的连续集电极电流: 1300 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 6.25 W
封装 / 箱体: IHM
**工作温度: + 125 C
高度: 38 mm
长度: 140 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 2
宽度: 130 mm
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