价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM10MD1-12H现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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  经过了潜心研究，于 1989 年在 IEEE 功率电子**会议（PESC）上率先提出了 NPT－IGBT 概念。由于随着 IGBT 耐压的提高，如电压 VCE≥1200V，要求 IGBT 承受耐压的 基区厚度 dB>100μm，在硅衬底上外延生长高阻厚外延的做法，不仅成本高，而且外延层的掺 杂浓度和外延层的均匀性都难以保证。1995 年，西门子率先不用外延工艺，采用区熔单晶硅 批量生产 NPT－IGBT 产品。西门子的 NPT-IGBT 在全电流工作区范围内具有饱和压降正温度 系数，具有类 MOSFET 的输出特性。
  凭借 25°C时典型饱和压降 （VCE（sat）） 为1.05 V的傲人成绩，此类新型 IGBT成功地将效率水平提升到一个新的高度 —— 用 L5 系列代替它的前辈 TRENCHSTOP IGBT，使效率在NPC1拓扑中提升高达 0.1％，在 NPC 2 拓扑中提升 0.3％。再加上VCE（sat）的温度系数为正，保持高效率的同时还能直接并联——树立了20kHz 以下频率的IGBT的行业**。铸造新 L5系列灵魂的 TRENCHSTOP5技术，不但能提供无与伦比的低传导损耗，还能将25℃时的总开关损耗降至1.6 mJ。综上所述，在低开关频率应用场合使用英飞凌新推出的低饱和压降 IGBT 能提升效率，增加可靠性并且缩小系统的尺寸。

产品结构图

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