三菱IGBT模块CM10MD-24H现货技术参数价格资料_供应

三菱IGBT模块CM10MD-24H现货技术参数价格资料

发布时间:2016-08-15 18:06:59 产品编号:GY-5-95151856 分享

价格:未填
品牌:三菱
发货:3天内
信息标签:三菱IGBT模块CM10MD-24H现货技术参数价格资料,供应,电子、电工,电子元器件及组件

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正对低频整流市场开发应用的模块，该系列其它型号还有DSP25-12A、DSP25-16A、DSP25-12AT、DSP25-16AT、DSP25-16AR。该系列均采用国际通行标准封装，产品的击穿电压高，反向漏电流小，高温性能良好，通常高压大功率整流二极管都用高纯单晶硅制造，这种器件结面积大，能通过较大电流（通常可以达到数千安），但工作频率不高，一般在几十千赫兹以下，主要用于各种低频整流电路。

针对变频应用、焊接机应用、不间断电源应用等领域的软穿通型IGBT模块，具有高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术的优势，作为逆变器件的变频器的容量达250kVA以上，工作频率可达20kHz。

产品结构
PT 型 IGBT 是在厚度约为 300－500μm 的硅衬底上外延生长有源层，在外延层上制作 IGBT 元胞。PT-IGBT 具有类 GTR 特性，在向 1200V 以上高压方向发展时，遇到了高阻、厚外延难度大、成本高、可靠性较低的障碍。因此，PT-IGBT 适合生产低压器件，600V 系列 IGBT 有优势。

三菱IGBT模块CM10MD-24H现货技术参数价格资料
价格：1

产品种类: IGBT 模块
RoHS: 符合RoHS 详细信息
产品: IGBT Silicon Modules
配置: Dual
集电极—发射极**电压 VCEO: 1700 V
集电极—射极饱和电压: 2.45 V
在25 C的连续集电极电流: 1390 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 6.25 kW
封装 / 箱体: PRIME3
**工作温度: + 150 C
高度: 38 mm
长度: 250 mm
栅极/发射极**电压: +/- 20 V
**小工作温度: - 40 C
安装风格: Screw
工厂包装数量: 2
宽度: 89 mm

产品结构图

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